司法三等申論題
112年
[檢察事務官電子資訊組] 電子學與電路學
第 三 題
圖三 MOSFET 無 body effect，Vtn = 1 V，VA = $\infty$，ro = $\infty$，RD = 5RS = 10 k\Omega，R1 = 5 M\Omega，R2 = 3 M\Omega，偏壓電流 ID = 0.5 mA，先確認電晶體之工作區，再求算小訊號電壓放大倍率 Av1 = vo1/vi與 Av2 = vo2/vi。（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
本題為經典的 MOSFET 相位分離器（Phase Splitter）電路分析。解題需分兩步：首先進行直流（DC）分析，計算出各端點電壓（VG, VS, VD）以驗證電晶體是否操作於飽和區，並求得轉導參數（gm）；接著進行交流（AC）小訊號分析，利用等效電路分別推導出汲極端（共源極組態）與源極端（共汲極組態）的電壓放大倍率。
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【解題關鍵】先透過直流分析確認 MOSFET 處於飽和區並求出轉導 $g_m$，再代入小訊號模型推導電壓增益。 【解答】 一、 直流分析與工作區確認
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