司法三等申論題
105年
[檢察事務官電子資訊組] 電子學與電路學
第 三 題
三、圖三所示電路中，NMOS 場效電晶體之Vt = 2 V， μnCox = 20 μA/V^2 ，L = 10 μm 與 W = 400 μm，試求可使 NMOS 場效電晶體操作於I_D = 0.576 mA及V_D = +1 V下之R_S與R_D 電阻值。（通道長度調變效應可予忽略）（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
看到此題應先利用汲極端已知電壓與電流，透過 KVL 求出汲極電阻 RD；接著假設 NMOS 操作於飽和區，將已知電流代入電流公式反推閘源極電壓 VGS；再利用源極端 KVL 解出源極電阻 RS，解題最後務必驗證飽和區條件 (VDS > VGS - Vt) 以確保解答有效。
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【解題關鍵】利用 KVL 計算節點電壓與電阻，並假設 NMOS 操作於飽和區代入電流公式求得偏壓，最後進行操作區間驗證。 【解答】 計算：
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