調查局三等申論題
112年
[電子科學組] 電子學與電路學
第 三 題
圖三 MOSFET 無 body effect，Vtn = 1 V，VA = ∞，ro = ∞，RD = 5RS = 10 kΩ，R1 = 5 MΩ，R2 = 3 MΩ，偏壓電流 ID = 0.5 mA，先確認電晶體之工作區，再求算小訊號電壓放大倍率 Av1 = vo1/vi與 Av2 = vo2/vi。（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
解題第一步先進行直流（DC）分析，算出閘極、源極與汲極電壓，以判斷 MOSFET 是否工作於飽和區並求出互導 gm。第二步畫出交流（AC）小訊號等效電路，利用節點方程式（KCL）推導 vo1（共源極輸出）與 vo2（共汲極輸出）對 vi 的轉移函數，即可得解。
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
【解題思路】先由直流偏壓電路求出各端點電壓以驗證 MOSFET 工作區，接著建立小訊號等效模型，利用節點方程式推導電壓放大率。 【詳解】 已知：$V_{DD} = 8\text{ V}$，$R_1 = 5\text{ M}\Omega$，$R_2 = 3\text{ M}\Omega$，$R_D = 10\text{ k}\Omega$，$R_S = 10\text{ k}\Omega / 5 = 2\text{ k}\Omega$，$I_D = 0.5\text{ mA}$，$V_{tn} = 1\text{ V}$，$r_o = \infty$。
▼ 還有更多解析內容