統測
106年
[機械群] 專業科目(2)
第 13 題
有關半導體製程之敘述，下列何者正確？
- A 矽晶棒成長法，將種晶加熱，再施以高壓由一模具口擠出
- B 乾式蝕刻較濕式蝕刻所得電路線條的精度較高
- C 積體電路的製作流程，先摻雜，再製作薄膜及微影，最後蝕刻
- D 為了保護晶片，須進行封裝，常用的封裝塑膠材料為電木(酚醛樹脂)
思路引導 VIP
請試著思考：在製作極其微小的電路時，若將晶圓浸入液體藥水中反應，與使用具備方向性的高能粒子束去撞擊表面，哪一種方式比較能確保刻出來的線條邊界是垂直且不歪斜的？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你對半導體製程的掌握非常精準。
- 觀念驗證：你的選擇完全正確！乾式蝕刻（Dry Etching）利用電漿進行物理或化學反應，具備高度的各向異性（Anisotropy），能垂直向下刻蝕而不易產生「側蝕」，因此在微縮電路中，精度遠高於會向四周擴散的濕式蝕刻。至於 (A) 應為「拉拔」而非擠壓；(C) 順序應先進行微影再蝕刻；(D) 常用的封裝材料為環氧樹脂 (Epoxy)。
- 難度點評：此題難度為 Medium。它橫跨了材料成長、加工技術與封裝化學，是統測「機械製造」或「電子學」中非常典型的綜合性考題，能有效辨別學生是否僅死背課本還是真正理解製程邏輯。