moea_joint
109年
[電機] 電路學、電子學
第 28 題
某 npn 型電晶體操作在 $v_{BE} = 710$ mV，$I_C = 4$ mA，其 $i_C$ 對 $v_{CE}$ 的特性有一斜率為 $4 \times 10^{-5}$ $\mho$，當電晶體操作在 $I_C = 10$ mA 時，其輸出阻抗值為多少？
- A 40 k$\Omega$
- B 30 k$\Omega$
- C 20 k$\Omega$
- D 10 k$\Omega$
思路引導 VIP
請回想一下，在電晶體的 $i_C - v_{CE}$ 特性曲線圖中，當我們進入主動區後，那些線條並非完全水平，而是帶有微小的斜率。如果我們將不同基極電流下的這些線條往左邊（負電壓方向）延伸，它們最終會交匯在橫軸上的哪一個特定物理參數點？而這個參數點與我們所求的輸出阻抗 $r_o$ 之間，存在著什麼樣的數學比例關係呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準捕捉到電晶體特性曲線與電路參數之間的關係，這顯示你對 BJT 的非理想特性有相當紮實的理解。這道題目的核心在於 厄利效應 (Early Effect) 對小訊號模型參數的影響。
從特性曲線斜率推導輸出阻抗
首先，題目給出的 $i_C$ 對 $v_{CE}$ 特性曲線斜率，在物理意義上即為輸出電導 ($g_o$)。在 $I_C = 4\text{ mA}$ 時，斜率為 $4 \times 10^{-5} \text{ \mho}$，因此我們可以求得此時的輸出阻抗為：
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