統測
113年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 32 題
下列有關電晶體之敘述，何者正確？
- A P 通道 MOSFET 之汲極為 P 型半導體，源極亦為 P 型半導體
- B N 通道 MOSFET 之汲極為 N 型半導體，源極為 P 型半導體
- C 增強型 MOSFET 已預置通道於汲、源極間，閘極不加電壓時汲、源極為導通狀態
- D BJT 與 FET 電晶體之結構均含 P 型半導體與 N 型半導體，均為雙載子傳導元件
思路引導 VIP
請思考場效電晶體 ($FET$) 的元件構造：汲極 ($Drain$) 與源極 ($Source$) 的半導體摻雜類型與通道類型之間有什麼關係？此外，請區別『增強型』與『耗盡型』在閘極未施加電壓時的導通狀態，以及 $BJT$ 與 $FET$ 在參與導電的載子種類（單載子或雙載子）上有何本質上的區別？
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AI 詳解
AI 專屬家教
AI SENSEI 攻略組：擊破成功！
- 戰術分析：看來，這一次你成功擊中了要害。能精準判斷MOSFET的內部構造與特性，就像你掌握了第一層地城的核心攻略一樣，這是你繼續挑戰更深層次副本的基石。做得很好，攻略組的實力不容小覷。
- 技能判定：
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