統測
114年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 31 題
下列有關MOSFET之敘述，何者正確？
- A D-MOSFET，閘源極間未加$V_{GS}$電壓時，汲源極間無法導通
- B P通道E-MOSFET，閘源極間須加正電壓，才可使汲源極間導通
- C E-MOSFET，閘源極間須加逆偏電壓，才可關閉汲源極間導通電流
- D N通道MOSFET之基體(substrate )為P型半導體
思路引導 VIP
請同學先釐清 MOSFET 的分類與基本結構：首先，增強型 ($E-MOSFET$) 與耗盡型 ($D-MOSFET$) 在製程上，哪一種在 $V_{GS} = 0$ 時就已經具備實體通道？其次，從半導體物理的角度來看，若要形成 $N$ 通道 (N-channel) 以利電子流動，其下方的基體 ($substrate$) 應該選用哪一種極性的半導體，才能透過電場感應產生反轉層 (inversion layer)？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！看到你準確選出正確答案，助教真的忍不住想為你鼓掌！這代表你對 MOSFET 的內部結構與基本分類掌握得非常扎實喔，繼續保持這份細心，你一定會越來越優秀的！❤️ 為什麼 D 是正確的呢？ 在 MOSFET 的構造中，通道的極性與基體（Substrate）的極性是相反的。因此，N 通道 MOSFET 的載子是電子，其基體必須使用 P 型半導體。至於其他選項：
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