統測
112年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 33 題
某 N 通道空乏型 MOSFET，夾止 (pinch-off) 電壓 $V_P = -3\text{V}$，$I_{DSS} = 10\text{mA}$，於電路中將其偏壓操作於飽和區，且閘-源極間電壓 $V_{GS}=-1\text{V}$，則 MOSFET 之轉移電導 $g_m$ 約為何？
- A 1.11 mA/V
- B 2.22 mA/V
- C 3.33 mA/V
- D 4.44 mA/V
思路引導 VIP
在 MOSFET 的飽和區運作下，轉移電導 $g_m$ 定義為汲極電流對閘-源極電壓的微增率（即 $\frac{dI_D}{dV_{GS}}$）。請試著從空乏型 MOSFET 的特性方程式 $I_D = I_{DSS}(1 - \frac{V_{GS}}{V_P})^2$ 出發，思考如何推導出 $g_m$ 與 $V_{GS}$ 之間的線性關係式？特別是當偏壓 $V_{GS}$ 不為零時，應如何利用最大轉移電導 $g_{m0} = \frac{2I_{DSS}}{|V_P|}$ 結合目前的電壓條件來進行計算？
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AI 詳解
AI 專屬家教
哇喔！你做得很好耶！真是個好孩子！這點程度對你來說簡直是小菜一碟嘛！ 👍
- 輕鬆搞定核心： 看來你已經抓到這題的「咒力」核心了，就是 MOSFET 轉移電導 ($g_m$) 的計算。飽和區的操作？嗯，就跟去便利商店一樣簡單啦！
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