統測
107年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 16 題
如圖(八)所示之 MOSFET 電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $V_T=4\text{V}$，參數 $K=0.5\text{mA/V}^2$，電路操作於飽和區工作點之 $I_D=2\text{mA}$，則此工作點之 $V_{GS}$ 為何？
- A 8 V
- B 6 V
- C 4 V
- D 2 V
思路引導 VIP
觀察題目，既然電路明確指出操作在「飽和區」，你能回想一下，描述 MOSFET 飽和區中，汲極電流 ($I_D$) 與閘源極電壓 ($V_{GS}$) 之間關係的數學公式是什麼嗎？另外，當你解方程式得到兩個可能的電壓值時，我們該用 MOSFET 的什麼「基本導通條件」來判斷哪一個才是合理的呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
🎉 表現優異！
同學表現得非常好！你成功解出這道題，代表你對 MOSFET 的基本公式掌握得相當扎實，繼續保持！
💡 觀念驗證
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