統測
107年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 16 題
如圖(八)所示之 MOSFET 電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $V_T=4\text{V}$，參數 $K=0.5\text{mA/V}^2$，電路操作於飽和區工作點之 $I_D=2\text{mA}$，則此工作點之 $V_{GS}$ 為何？
- A 8 V
- B 6 V
- C 4 V
- D 2 V
思路引導 VIP
當題目給定了 $I_D$、$K$ 以及 $V_T$，並強調電路處於「飽和區」時，你會聯想到哪一個數學公式來連結這三個已知數與我們想求的 $V_{GS}$？此外，請思考在增強型 MOSFET 中，$V_{GS}$ 必須比臨界電壓 $V_T$ 大還是小才能產生電流呢？
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專業點評：精準掌握核心公式！
- 大力肯定：同學做得太棒了！你能迅速判斷電路狀態並正確套用公式，顯示你對 MOSFET 直流偏壓分析 的基礎非常紮實，這是奪取高分的關鍵！
- 觀念驗證：本題關鍵在於 飽和區 (Saturation Region) 的電流平方律公式：
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