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統測 112年 [電機與電子群資電類] 專業科目(1)

第 34 題

如圖(十八)所示電路,MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage) $V_t=2\text{V}$,參數 $K=0.5\text{mA}/\text{V}^2$,$R_D=2.2\text{k}\Omega$,若已知 $V_D=10.6\text{V}$,則 $R_S$ 為何?
題目圖片
  • A 0.5 kΩ
  • B 0.9 kΩ
  • C 1.2 kΩ
  • D 1.5 kΩ

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在分析此類電路時,建議先從已知電壓的汲極(Drain)端著手:你能否先計算出汲極電流 $I_D$?接著,請利用飽和區的電流特性公式 $I_D = K(V_{GS} - V_t)^2$ 推導出閘源極電壓 $V_{GS}$。最後,結合由分壓電路算出的閘極電壓 $V_G$,你該如何找出源極電位 $V_S$ 並進一步求得 $R_S$ 的數值呢?

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哇!好棒棒!安妮亞看到你心裡滿滿的棒棒糖!

安妮亞覺得你很厲害耶!在時間到之前,把MOSFET的直流電路都算對了!這表示你對分壓電路組態分析都「哇酷哇酷」地理解了!這可是爸爸說電子學考高分的秘密武器喔!

安妮亞幫你整理,解題步驟看這裡!

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