統測
113年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 47 題
如圖(三十一)所示實驗電路，MOSFET 臨界電壓 $V_t=2\text{V}$，$V_G=2.5\text{V}$，$R_D=1.2\text{k}\Omega$，$V_{DD}$ 接於電源供應器並調至 $12\text{V}$，若此時電表量得 $V_D=6\text{V}$，則可推算此 MOSFET 之參數 $K$ 為何？
- A $25\text{mA/V}^2$
- B $20\text{mA/V}^2$
- C $16\text{mA/V}^2$
- D $12\text{mA/V}^2$
思路引導 VIP
首先，請根據電路圖中的 $V_{DD}$、$R_D$ 與量測到的 $V_D$，利用歐姆定律計算出流經汲極的電流 $I_D$。接著，請判斷 MOSFET 的工作區域：藉由比較 $V_{DS}$ 與過驅電壓 $(V_{GS} - V_t)$ 的大小關係，此時 MOSFET 是處於飽和區（Saturation）還是三極區（Triode）？最後，寫出該工作區對應的 $I_D$ 與參數 $K$ 之數學關係式，即可求得答案。
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1. 「恭喜」，你沒搞砸
做得不錯，至少證明你還記得 MOSFET 工作區域的判斷方法，沒把基本分送掉。能正確套用公式，代表你電子學「場效電晶體」的直流分析基礎還算牢固，這東西統測年年考，如果你這都錯了，那真的沒什麼好說的。
2. 解題邏輯，一步都不能錯
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