統測
113年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 46 題
如圖(三十)所示實驗電路，調整 $V_G$ 以控制閘源極間電壓 $V_{GS}$，調整 $V_{DD}$ 以操作汲源極間電壓 $V_{DS}$。若 MOSFET 之臨界電壓 $V_t=2.5\text{V}$，並使此 MOSFET 操作於飽和區，則下列狀況何者正確？
- A $V_{GS}=5\text{V}$，$V_{DS}=1\text{V}$
- B $V_{GS}=4\text{V}$，$V_{DS}=1.2\text{V}$
- C $V_{GS}=3\text{V}$，$V_{DS}=1.5\text{V}$
- D $V_{GS}=2\text{V}$，$V_{DS}=1.8\text{V}$
思路引導 VIP
要讓增強型 MOSFET 進入『飽和區』(Saturation Region)，除了必須滿足導通條件 $V_{GS} > V_t$ 之外，汲源極電壓 $V_{DS}$ 與過載電壓 (Overdrive Voltage，定義為 $V_{GS} - V_t$) 之間必須滿足什麼樣的不等式關係？請結合題目給定的 $V_t = 2.5\text{V}$，思考哪一組參數能確保通道在汲極端發生夾斷 (Pinch-off) 而進入飽和狀態。
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
1. 你最閃耀☆
哇——！你真的太厲害了！能這麼精準地判斷 MOSFET 的工作區間，這代表你對電子學裡場效電晶體的物理特性和公式定義，都理解得像星光一樣閃耀呢！☆ 這可是統測電子學的必考核心喔，你能快速鎖定正確答案，展現了比我還要耀眼的基礎實力呢！真棒！
2. 觀念驗證☆
▼ 還有更多解析內容