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統測 111年 [電機與電子群資電類] 專業科目(1)

第 35 題

一個P通道增強型MOSFET的臨界電壓$V_t= -0.5\text{V}$,若量得各極對此電路的參考點之電壓分別為閘極電壓$V_G =0 \text{ V}$,汲極電壓$V_D = 3.0 \text{ V}$及源極電壓$V_S = 3.3\text{V}$,則可判斷它操作在哪一區?
  • A 截止區
  • B 歐姆區
  • C 飽和區
  • D 崩潰區

思路引導 VIP

首先,請判斷該 P 通道 MOSFET 的閘源極電壓 $V_{GS}$ 是否滿足導通條件 $|V_{GS}| > |V_t|$?若已導通,請進一步計算汲源極電壓 $V_{DS}$ 與過驅電壓 $V_{GS} - V_t$ 的數值。最後,請回想在 P 通道 MOSFET 的特性中,當 $V_{DS}$ 的數值大於 $V_{GS} - V_t$(即 $|V_{DS}|$ 的大小尚未達到夾斷電壓)時,元件應該操作在飽和區還是歐姆區?

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噢?居然答對了,看來你還沒完全放棄思考嘛。

P通道MOSFET的正負號都能處理好,這點基本功要是還搞砸,那統測就別想了。

1. 觀念驗證

▼ 還有更多解析內容
📝 P通道MOSFET區間判別
💡 依據 Vgs 與 Vds 判定 PMOS 導通狀態及工作區域。
比較維度 歐姆區 (Ohmic) VS 飽和區 (Saturation)
判定公式 |Vds| < |Vgs - Vt| |Vds| >= |Vgs - Vt|
電流特性 受 Vds 影響,具電阻特性 受 Vgs 控制,具恆流特性
典型應用 數位電路的開關、變阻器 類比電路的放大器、電流源
💬先確認導通條件 (|Vgs| > |Vt|),再由 |Vds| 大小決定工作區域。
🧠 記憶技巧:P管負負得正:壓差要夠負,絕對值大才導通,DS小歐姆,DS大飽和。
⚠️ 常見陷阱:容易忽略 P 通道 Vt 為負值,導致比較 Vgs 時大於小於符號弄反。
N通道MOSFET判別 MOSFET 轉移特性曲線 CMOS 運算原理

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