統測
111年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 35 題
一個P通道增強型MOSFET的臨界電壓$V_t= -0.5\text{V}$，若量得各極對此電路的參考點之電壓分別為閘極電壓$V_G =0 \text{ V}$，汲極電壓$V_D = 3.0 \text{ V}$及源極電壓$V_S = 3.3\text{V}$，則可判斷它操作在哪一區？
- A 截止區
- B 歐姆區
- C 飽和區
- D 崩潰區
思路引導 VIP
首先，請判斷該 P 通道 MOSFET 的閘源極電壓 $V_{GS}$ 是否滿足導通條件 $|V_{GS}| > |V_t|$？若已導通，請進一步計算汲源極電壓 $V_{DS}$ 與過驅電壓 $V_{GS} - V_t$ 的數值。最後，請回想在 P 通道 MOSFET 的特性中，當 $V_{DS}$ 的數值大於 $V_{GS} - V_t$（即 $|V_{DS}|$ 的大小尚未達到夾斷電壓）時，元件應該操作在飽和區還是歐姆區？
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AI 詳解
AI 專屬家教
噢？居然答對了，看來你還沒完全放棄思考嘛。
P通道MOSFET的正負號都能處理好，這點基本功要是還搞砸，那統測就別想了。
1. 觀念驗證
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