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高考申論題 114年 [化學工程] 反應工程及單元操作

第 一 題

📖 題組:
氣相反應 A + B → C + D 在一恆溫填充床反應器(packed bed reactor)內以固體觸媒 X 進行非均相催化。透過微分反應器(differential reactor)量測,觀察到 A 的反應消耗速率(−r'_A)有以下四種趨勢:在其它分壓不變下,增加 A 的分壓導致−r'_A先線性上升再持平;在其它分壓不變下,增加 B 的分壓導致−r'_A持續線性上升;在其它分壓不變下,增加 C 的分壓導致−r'_A持續線性下降;在其它分壓不變下,增加 D 的分壓對−r'_A沒有影響。
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (一)

試詳述微分反應器的運作概念。(5 分)

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看到「微分反應器」,應立刻聯想到「轉化率極低」與「觸媒裝填量極少」的核心特徵。接著結合填充床反應器(PFR)設計方程式,說明因濃度梯度極小使反應速率可視為常數,從而將積分式簡化為代數式,這也是實驗室測定觸媒反應動力學參數的常用方法。

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【破題】 微分反應器(Differential Reactor)通常為一裝填極少量固體觸媒的管狀填充床反應器,其核心概念是讓反應物在極低的轉化率下通過床層,藉此將反應速率視為常數,以利直接測量並建立反應動力學模型。 【論述】

小題 (二)

試推導此非均相催化的反應速率定律式,並求得在反應溫度較高時的反應級數(reaction order)。(15 分)

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本題測驗非均相觸媒反應動力學的 LHHW/Eley-Rideal 模型推導。看到四種分壓對反應速率的影響趨勢,應立刻聯想各成分在速率方程式(Rate law)分子與分母的位置:A 先升後平表示 A 會吸附在觸媒表面(出現在分子與分母);B 持續上升表示 B 不吸附或極弱吸附,直接與表面 A 反應(Eley-Rideal 機構,僅出現在分子);C 導致速率下降表示 C 為產物抑制劑,會競爭吸附位(出現在分母);D 無影響表示 D 不吸附。接著利用吸附為放熱反應的熱力學特性,推論高溫下吸附常數趨近於零,進而求出極限狀態的反應級數。

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【解題思路】利用 Eley-Rideal (ER) 或 Langmuir-Hinshelwood-Hougen-Watson (LHHW) 機構模型。由各氣體分壓對反應速率的影響趨勢,反推各物種在表面吸附的狀況,建立表面反應控制的動力學方程式,再依據吸附反應為放熱的熱力學性質,評估高溫下的極限狀態。 【詳解】 已知:恆溫下氣相反應 $A + B \rightarrow C + D$。

📝 非均相催化速率式推導
💡 利用分壓實驗趨勢判斷吸附機制,推導 L-H 模型速率式。

🔗 非均相催化速率式建立流程

  1. 1 實驗趨勢分析 — 觀察各成分分壓與速率關係,識別吸附、抑制與不影響項。
  2. 2 建立機構假設 — 設定表面反應為決速步,列出各成分之吸附等溫線方程。
  3. 3 代數推導速率式 — 將覆蓋率代入反應式,整理出含分壓之分式方程式。
  4. 4 極端條件簡化 — 分析高低溫或高低壓極限,決定其反應級數之漸進值。
🔄 延伸學習:延伸學習:從速率式形式判斷是否符合多分子位點吸附或單一位點吸附。
🧠 記憶技巧:分子看動力,分母看吸附;分壓升速率平,必有位點競爭。
⚠️ 常見陷阱:答題時易忽略產物 C 的競爭吸附(抑制項),或未考慮高溫對吸附常數的影響。
Langmuir-Hinshelwood 機構 Eley-Rideal 機構 觸媒有效因子 (Effectiveness Factor)

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