場效電晶體（FET）結構、特性與應用

📝 歷屆考古題

• 114年 初等考試 第8題
  空乏型 MOSFET 不適合用於下列何者？
  查看 AI 詳解 →
• 113年 初等考試 第1題
  有關積體電路 28 奈米半導體製程技術，這裡所指的 28 奈米製程，為下列何種尺寸？
  查看 AI 詳解 →
• 113年 初等考試 第8題
  有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
  查看 AI 詳解 →
• 113年 初等考試 第27題
  有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
  查看 AI 詳解 →
• 112年 初等考試 第27題
  有關 JFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？
  查看 AI 詳解 →
• 112年 初等考試 第29題
  場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗是由於下列何種效應？
  查看 AI 詳解 →
• 111年 初等考試 第7題
  下列何種矽電晶體具有常閉型通道？
  查看 AI 詳解 →
• 108年 初等考試 第2題
  對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？
  查看 AI 詳解 →
• 107年 初等考試 第2題
  如圖所示符號為下列何種元件？
  查看 AI 詳解 →
• 106年 初等考試 第3題
  場效電晶體之本體效應（Body effect）是討論：
  查看 AI 詳解 →
• 105年 初等考試 第4題
  場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：
  查看 AI 詳解 →
• 105年 初等考試 第7題
  下列那一個元件的端點數最多？
  查看 AI 詳解 →