材料微結構分析與顯微技術

📝 歷屆考古題

• 111年 高考申論題 第四題
  四、請說明掃描式電子顯微鏡呈像模式中二次電子影像（SEI）與背向散射電子影像（BEI）之優缺點。（20 分）
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• 110年 高考申論題 第一題
  一、空間解析度（spatial resolution）是成像技術重要規格，請分別對光學顯微鏡（OM），穿透式電子顯微鏡（TEM）及掃描式電子顯微鏡（SEM），論述決定其空間解析度的成因，並敘述如何提升…
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• 109年 高考申論題 第一題
  掃描式電子顯微鏡(SEM)成像之訊號源是如何產生?訊號源有何特徵?(10分)
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• 109年 高考申論題 第二題
  說明電子束之尺寸與電流對SEM影像品質及放大倍率之影響。(10分)
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• 108年 高考申論題 第一題
  請說明解析度的定義？（5 分）
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• 108年 高考申論題 第二題
  請說明以上兩種設備之解析度主要決定因素分別為何？（10 分）
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• 108年 高考申論題 第三題
  請說明以上兩種方式形成原子級解析度影像的機制。（10 分）
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• 107年 高考申論題 第四題
  差排（dislocation）常常是決定材料或元件性質的主要缺陷，請說明如何利用穿透式電子顯微鏡（TEM）來呈現差排影像，並進而分析伯格向量（Burgers vector），包含原理、成像條件、差排的…
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• 107年 高考申論題 第五題
  利用光學顯微鏡（OM）來觀察樣品之晶粒分布實驗中，如何知道總放大倍率？（3 分）在低或是高倍率成像中較容易判斷樣品表面是否有拋光到完全平整？（2 分）請論述其中的機制。（5 分）
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• 107年 高考申論題 第六題
  光斑大小（probe size）是決定掃描式電子顯微鏡（SEM）的空間解析度重要因素之一。請論述 SEM 中每個電磁稜鏡對光斑大小的決定機制與其影響。（10 分）
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