材料缺陷、擴散與摻雜

📝 歷屆考古題

• 111年 高考申論題 第二題
  氯化鈉比冰有較高的熔點,請解釋其原因為何。(20分)
  查看 AI 詳解 →
• 111年 高考申論題 第三題
  假設有一種電子材料之組成為一玻璃基質中添加微小顆粒之矽(Si),若其中每1mm³玻璃中含有9.7 x 10¹⁶個微小顆粒之矽,同時矽占之總含量為10wt%(重量百分比)。請計算微小顆粒之矽的平均粒徑。…
  查看 AI 詳解 →
• 111年 高考申論題 第四題
  有一摻雜 15 ppb 硼的矽,請計算其飽和範圍之電導率。(矽的密度 = 2.33 g/cm³,硼的原子質量 = 10.81 g/mol,電洞遷移率µh=0.038m²/V·s。)(20分)
  查看 AI 詳解 →
• 111年 高考申論題 第五題
  在一腐蝕電池中測量到10mA的電流。請問每秒有多少 Ni原子在陽極被氧化成Ni²⁺?(20分)
  查看 AI 詳解 →
• 110年 高考申論題 第一題
  一、請繪圖說明當兩個原子接近時，其總能量和兩個原子間距離的關係，並在這張圖上面標示兩個原子間的平衡距離，請詳述兩個原子產生鍵結的原因。（20 分）
  查看 AI 詳解 →
• 110年 高考申論題 第三題
  三、請比較固溶體中置換型溶質和插入型溶質原子擴散機制的差異，並說明碳鋼中錳和碳元素在均質化處理時，那一個元素會先達到均質化的效果。（20 分）
  查看 AI 詳解 →
• 110年 高考申論題 第四題
  四、請就下列性質比較單晶銅與多晶銅的差異：擴散係數、降伏強度、導電率、熱傳導係數。（20 分）
  查看 AI 詳解 →
• 110年 高考申論題 第五題
  五、金屬材料的降伏強化隨著差排密度增加而上升，請詳述陶瓷材料是否也可以藉由差排來提升其機械強度，例如抗彎強度（flexural strength）。（20 分）
  查看 AI 詳解 →
• 109年 高考申論題 第一題
  說明雙晶(twinning)變形機制及滑動(slip)變形機制的差異點。(10分)
  查看 AI 詳解 →
• 109年 高考申論題 第二題
  擴散率(diffusivity)大小取決於5個變量，說明這些變量如何影響擴散率？(10分)
  查看 AI 詳解 →
• 108年 高考申論題 第一題
  當B 加入 Si 中進行摻雜反應後,在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷,請說明其理由。(5分)
  查看 AI 詳解 →
• 108年 高考申論題 第二題
  當 ZnO 加入Al2O3 中進行摻雜反應後,在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷,請說明其理由。(5分)
  查看 AI 詳解 →
• 108年 高考申論題 第三題
  請寫出一般缺陷數量與溫度的關係式。(4分)
  查看 AI 詳解 →
• 108年 高考申論題 第四題
  請提出三種減少缺陷的方法。(6分)
  查看 AI 詳解 →
• 107年 高考申論題 第一題
  一、試述離子、共價、金屬、凡德瓦爾四種鍵結的來源，並說明這四種鍵結固體在機械性質與導電性質方面的差異。（20 分）
  查看 AI 詳解 →
• 107年 高考申論題 第二題
  計算 930℃下，碳原子在 FCC（γ）鐵的擴散係數 D，假設其 D0 = 2.0 × 10−5 m2/s， Q = 142 kJ/mol，R = 8.314 J/mol⋅K。對一 1020 碳鋼齒輪…
  查看 AI 詳解 →