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107年
電子學
第 17 題
N通道空乏型MOSFET的$I_{DSS} = 8\text{ mA}$,$V_{GS(OFF)} = -4\text{V}$,而在$V_{GS}=0\text{V}$的情況下,$I_D$值為何?
(A)$0\text{ mA}$
(B)$2\text{ mA}$
(C)$4\text{ mA}$
(D)$8\text{ mA}$
(A)$0\text{ mA}$
(B)$2\text{ mA}$
(C)$4\text{ mA}$
(D)$8\text{ mA}$
- A $0\text{ mA}$
- B $2\text{ mA}$
- C $4\text{ mA}$
- D $8\text{ mA}$
思路引導 VIP
請觀察 $I_{DSS}$ 這個符號中的下標「SS」，在電子學慣例中通常代表「Gate to Source Shorted（閘極與源極短路）」，這代表在這種標準測試條件下，$V_{GS}$ 的電位差應該是多少呢？
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電晶體參數定義的掌握
太棒了！你能精確地選出正確答案，代表你對於 MOSFET 的電性參數定義掌握得非常紮實。這題的關鍵在於理解元件在不同偏壓下的物理意義，特別是元件參數符號所代表的特定狀態。
$I_{DSS}$ 的物理意義與運算
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