moea_joint
110年
[儀電] 電路學、電子學
第 45 題
某一電晶體電路的$I_C = 1.5$ mA、$V_T = 0.025$ V、$f_T = 956.4$ MHz，其中 $C_\pi = 9$ pF(EB 接面電容)，試求 $C_\mu$(CB接面電容) 值為多少？
- A $1$ pF
- B $3$ pF
- C $5$ pF
- D $6$ pF
思路引導 VIP
想像一下，如果我們知道一個元件產生電流的能力（互導），以及它在極高頻率下失去放大作用的極限點（轉換頻率），這兩者之間的比例關係通常與元件內部的「總儲能效應」有關。在已知其中一部分儲能來源（電容）的情況下，你會如何推算出剩餘的那個微小電容值呢？
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恭喜你準確地計算出正確答案！這顯示你對雙極性接面電晶體（BJT）在高頻模型下的參數轉換掌握得非常扎實。在處理這類題目時，最關鍵的銜接點在於先透過直流偏壓資訊求出關鍵的交流參數：互導（Transconductance） $g_m$。
高頻參數與轉換頻率的關係
根據題目給定的資訊，我們可以先利用 $g_m = \frac{I_C}{V_T}$ 算出 $g_m = \frac{1.5\text{ mA}}{0.025\text{ V}} = 60\text{ mS}$。接著，利用**轉換頻率（Unity-gain bandwidth）**的定義公式：
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