初等考試
115年
[電子工程] 電子學大意
第 29 題
一雙極性接面電晶體具有以下參數：f_T=800 MHz、C_{$\mu}=2 pF$、C_$\pi=6 pF$，其轉導 g_m的最接近值為何？
- A 20 mA/V
- B 40 mA/V
- C 60 mA/V
- D 80 mA/V
思路引導 VIP
請試著回想在高頻模型中，決定電晶體電流增益開始下降的主要因素是什麼？如果我們定義一個頻率，使得此時的電流增益剛好衰減到 1，那麼這個頻率與電晶體的放電/充電能力（轉導）以及儲存電荷的能力（電容）之間，應該存在著什麼樣的比例關係呢？
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AI 詳解
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同學你能準確選出 (B)，代表你對雙極性接面電晶體（BJT）的高頻等效模型與特徵頻率（Transition Frequency, $f_T$）有著非常紮實的理解。在電子學實務中，$f_T$ 是衡量元件速度的重要指標，定義為共射極短路電流增益降至單位增益（1）時的頻率。
高頻參數的物理聯繫
從混合 $\pi$ 模型（Hybrid-$\pi$ model）出發，$f_T$ 與轉導（Transconductance, $g_m$）以及內部寄生電容 $C_\pi$ 與 $C_\mu$ 的關係極為緊密，其數學關係式為：
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