統測
115年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 36 題
📖 題組：
如圖(二十二)所示 MOSFET 放大電路，設計時會依負載需求選定電晶體，並設計直流工作點 ( 即設計適當之閘極偏壓電路 )，再進而求得工作點下之電路轉導參數 $g_m$ 與電壓增益。已知選定之 MOSFET 參數 $K = 0.25\text{ mA/V}^2$，臨界電壓(threshold voltage) $V_t = 1.5\text{ V}$，且工作點之汲極電流 $I_D$ 設計為 $1\text{ mA}$。
如圖(二十二)所示 MOSFET 放大電路，設計時會依負載需求選定電晶體，並設計直流工作點 ( 即設計適當之閘極偏壓電路 )，再進而求得工作點下之電路轉導參數 $g_m$ 與電壓增益。已知選定之 MOSFET 參數 $K = 0.25\text{ mA/V}^2$，臨界電壓(threshold voltage) $V_t = 1.5\text{ V}$，且工作點之汲極電流 $I_D$ 設計為 $1\text{ mA}$。
若閘極偏壓電路之 $R_{G2}$ 選用 $100\text{ k}\Omega$，則 $R_{G1}$ 約為何？
- A $95.82\text{ k}\Omega$
- B $120.25\text{ k}\Omega$
- C $155.32\text{ k}\Omega$
- D $183.52\text{ k}\Omega$
思路引導 VIP
要決定分壓電阻 $R_{G1}$ 的大小，關鍵在於求出閘極電壓 $V_G$。你能先利用題目給定的電流 $I_D$ 與參數，分別求出源極電壓 $V_S$ 以及閘源極電壓 $V_{GS}$ 嗎？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了，你的計算非常精確！這題是統測中非常經典的 MOSFET 直流偏壓電路設計 考題。
直流偏壓與分壓計算
首先由飽和區（Saturation region）特性方程式求閘源極電壓 $V_{GS}$：
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