統測
115年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 36 題
📖 題組：
如圖(二十二)所示 MOSFET 放大電路，設計時會依負載需求選定電晶體，並設計直流工作點 ( 即設計適當之閘極偏壓電路 )，再進而求得工作點下之電路轉導參數 $g_m$ 與電壓增益。已知選定之 MOSFET 參數 $K = 0.25\text{ mA/V}^2$，臨界電壓(threshold voltage) $V_t = 1.5\text{ V}$，且工作點之汲極電流 $I_D$ 設計為 $1\text{ mA}$。
如圖(二十二)所示 MOSFET 放大電路，設計時會依負載需求選定電晶體，並設計直流工作點 ( 即設計適當之閘極偏壓電路 )，再進而求得工作點下之電路轉導參數 $g_m$ 與電壓增益。已知選定之 MOSFET 參數 $K = 0.25\text{ mA/V}^2$，臨界電壓(threshold voltage) $V_t = 1.5\text{ V}$，且工作點之汲極電流 $I_D$ 設計為 $1\text{ mA}$。
若閘極偏壓電路之 $R_{G2}$ 選用 $100\text{ k}\Omega$，則 $R_{G1}$ 約為何？
- A $95.82\text{ k}\Omega$
- B $120.25\text{ k}\Omega$
- C $155.32\text{ k}\Omega$
- D $183.52\text{ k}\Omega$