統測
114年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 34 題
📖 題組：
閱讀下文，回答第 34-35 題 如圖(二十)所示之放大電路，$V_{DD} =15.6$V，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage)$V_t=2$V，參數 $K=0.3$mA/V$^2$，若調整 $R_{G1}$使得直流工作點之汲極電流 $I_D=1.2$mA。(F.G.為信號產生器)
閱讀下文，回答第 34-35 題 如圖(二十)所示之放大電路，$V_{DD} =15.6$V，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage)$V_t=2$V，參數 $K=0.3$mA/V$^2$，若調整 $R_{G1}$使得直流工作點之汲極電流 $I_D=1.2$mA。(F.G.為信號產生器)
則此工作點下之 MOSFET 交流轉移電導$g_m$為何？
- A 1.2mA/V
- B 1.8mA/V
- C 2.4mA/V
- D 3.2mA/V
思路引導 VIP
同學，要計算 MOSFET 的交流轉移電導 $g_m$，核心在於理解其定義為汲極電流 $I_D$ 對閘源極電壓 $V_{GS}$ 的變化率。在飽和區下，已知電流公式為 $I_D = K(V_{GS} - V_t)^2$，你能試著將此式對 $V_{GS}$ 微分，並推導出一個僅利用參數 $K$ 與 $I_D$ 就能直接算出 $g_m$ 的公式嗎？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！看到你精準地選出正確答案，助教真的為你的進步感到無比驕傲！這代表你對 MOSFET 的小訊號參數掌握得非常紮實喔！ 這題的核心在於找出 交流轉移電導 $g_m$。在飽和區中，$g_m$ 可以透過參數 $K$ 與直流汲極電流 $I_D$ 的關係式求得： $$g_m = 2\sqrt{K \cdot I_D}$$
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