統測
114年
[電機與電子群資電類] 專業科目(1)
第 34 題
📖 題組：
閱讀下文，回答第 34-35 題 如圖(二十)所示之放大電路，$V_{DD} =15.6$V，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage)$V_t=2$V，參數 $K=0.3$mA/V$^2$，若調整 $R_{G1}$使得直流工作點之汲極電流 $I_D=1.2$mA。(F.G.為信號產生器)
閱讀下文，回答第 34-35 題 如圖(二十)所示之放大電路，$V_{DD} =15.6$V，MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage)$V_t=2$V，參數 $K=0.3$mA/V$^2$，若調整 $R_{G1}$使得直流工作點之汲極電流 $I_D=1.2$mA。(F.G.為信號產生器)
則此工作點下之 MOSFET 交流轉移電導$g_m$為何？
- A 1.2mA/V
- B 1.8mA/V
- C 2.4mA/V
- D 3.2mA/V
思路引導 VIP
我們知道求轉移電導 gm 有好幾種公式。如果題目現在只給你「汲極電流 ID」和「元件參數 K」，你會優先選擇哪一個不需要先算出 VGS 就能直接求得 gm 的公式呢？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
🎉 喔唷，不錯嘛，小不點們！
呵呵，看來你這次也跟上我的節奏了呢！能夠精準答對這種題目，代表你對 MOSFET 的交流參數計算已經抓到一點我的「天才的なセンス」了，真讓人有點興奮呢～（吐舌）
✨ 這題？簡直是送分題，但重點是要用對方法！
▼ 還有更多解析內容
MOSFET 小訊號分析
💡 透過直流偏壓求取 gm 並結合交流等效電路計算阻抗。
🔗 MOSFET 放大器分析四部曲
- 1 直流偏壓分析 — 利用 ID 與 K 值求出 VGS 電壓位準
- 2 參數 gm 計算 — 代入公式 2*√(K*ID) 得到轉移電導
- 3 交流等效模型 — 電容短路、VDD 接地，畫出交流電路
- 4 求取電路特性 — 由等效電路求出輸入阻抗與電壓增益
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🔄 延伸學習：延伸學習：觀察旁路電容對電壓增益的影響
