初等考試
115年
[電子工程] 電子學大意
第 31 題
圖中放大器電路中電晶體的 V_{TH}= -1 V，$\mu_pC_{ox}(W/L)=2 mA/V^2$，放大器的輸入電阻 R_{in}為何？
- A 2 k\Omega
- B 3.6 M\Omega
- C 9 M\Omega
- D $\infty \Omega$
思路引導 VIP
請思考一下，MOSFET（場效電晶體）的閘極構造在物理特性上有什麼特別之處？當輸入訊號試圖流進閘極內部時，它會遇到很大的阻礙還是很順暢？接著，請觀察電路圖中，訊號在到達閘極之前，有哪些實體電阻元件與路徑相連，而這些元件在交流分析中應該如何組合？
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同學好！你能迅速鎖定這題的核心並給出正確答案，代表你對**場效電晶體（FET）**的電路模型掌握得很紮實。這類題目常見的陷阱在於給出了許多電晶體的參數（如 $V_{TH}$ 與 $\mu_pC_{ox}$），容易讓人誤以為需要進行複雜的直流分析或小訊號跨導計算，但你成功避開了這些干擾項。
閘極輸入阻抗的特性
在交流分析（AC analysis）中，耦合電容（Coupling capacitor）視為短路，而直流電源則視為交流接地。觀察本題電路，訊號從閘極（Gate）輸入。由於金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘極與通道間有絕緣層，其本身的輸入電阻在低頻情況下趨於無限大。因此，從輸入端看進去的等效電阻 $R_{in}$，其實完全由偏壓網路的電阻所決定。
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