PN接面二極體的物理特性與參數計算

📝 歷屆考古題

• 112年 moea_joint 第27題
  有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 $18 ^\circ\text{C}$時($V_T = 25\text{ mV}$)，其逆向偏壓的飽和電流為 $I_S = 2 \times 10^{-14}\text{ A}$…
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• 112年 moea_joint 第28題
  有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
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• 111年 moea_joint 第26題
  在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？
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• 110年 moea_joint 第26題
  若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 $25$ $^\circ\text{C}$ 時崩潰電壓為 $15$ V，溫度係數為 $0.02$ % / $^\circ\text{C}$，若溫度上升至…
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• 110年 moea_joint 第28題
  對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 $I_S$ 的敘述何者有誤？
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• 109年 moea_joint 第26題
  關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
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• 109年 moea_joint 第44題
  當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
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• 107年 moea_joint 第36題
  已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 $10 ^\circ\text{C}$ 約成為原來之兩倍，在溫度 $25 ^\circ\text{C}$ 時的逆向飽和電流為 3 nA，當逆向飽和電流增加到 24…
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• 106年 moea_joint 第7題
  若一齊納二極體(Zener Diode)在25 $^\circ$C時崩潰電壓為15 V，溫度係數為0.02 %/$^\circ$C，若崩潰電壓升為15.135 V，求當時溫度為何？
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• 106年 moea_joint 第8題
  關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性，下列敘述何者有誤？
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• 105年 moea_joint 第30題
  一理想矽質 PN 介面的二極體，在 $T = 300\text{ K}$ 時 ($v_T = 26\text{ mV}$)，其逆向偏壓的飽和電流為 $I_s = 2 \times 10^{-14}\text{ A}$…
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• 105年 moea_joint 第44題
  對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 $I_S$ 的敘述何者有誤？
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• 104年 moea_joint 第14題
  關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
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• 104年 moea_joint 第15題
  一個齊納二極體(Zener Diode)於25℃時，$V_z = 6.8$ V，其正溫度係數為 $0.05 \%/^\circ\text{C}$，求 80℃時 $V_z$？
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• 101年 moea_joint 第30題
  某矽質二極體在溫度20℃時逆向飽和電流為5nA,當溫度為30℃時,此二極體逆向飽和電流為何?
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• 101年 moea_joint 第40題
  某一個稽納二極體在25℃時崩潰電壓為10V,其溫度係數為0.05\%/℃,當溫度為61℃時此稽納二極體之崩潰電壓為何?
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• 100年 moea_joint 第21題
  矽晶接面二極體等效電路模型中的擴散電容(Diffusion Capacitance)，是由下列那一項的物理現象所形成？
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