MOSFET與BJT小信號模型及放大器增益分析

📝 歷屆考古題

• 114年 初等考試 第31題
  圖中放大器電路中電晶體的 $V_{TH} = 1\text{ V}$，$V_A = \infty\text{ V}$，$\mu_n C_{ox}(W/L) = 2\text{ mA/V}^2$，放大器…
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• 113年 初等考試 第34題
  一 n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs=25 fF、Cgd=2 fF、W/L=16、μnCox=200 \(\mu A/V^2\)，操作在電流為 100 μA，其單一增益（Unity-gain）…
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• 111年 初等考試 第5題
  如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。$V_{DD} = 3 \text{ V}$，電晶體之小信號 $\mu_nC_{ox} = 200 \text{ \mu A/V}^2$，$W/L = 10$，$V_t = 0.5 \text{ V}$…
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• 111年 初等考試 第24題
  假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（$v_o/v_i$）為何？電晶體之 $\mu_n C_{ox} = 500 \text{ \mu A/V}^2$，$W/L = 100$，$V_{TH} = 0.6 \text{ V}$…
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• 111年 初等考試 第36題
  圖示 MOS 電路，$v_i$為輸入電壓，$v_o$為輸出電壓，本電路主要作用為何？
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• 110年 初等考試 第6題
  在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 $V_{GS}$ 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為：
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• 110年 初等考試 第32題
  如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 $g_m$，輸出電阻為 $r_o \to \infty$，則此放大器的電壓增益為何？
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• 109年 初等考試 第25題
  如圖為 MOSFET 差動式放大器，已知電晶體 $Q_1$ 和 $Q_2$ 的臨界電壓 $V_{TH}$、轉導 $g_m$、輸出阻抗 $r_o$ 等參數均相同，試求差動增益 $A_d = v_{od} / v_{id}$…
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• 108年 初等考試 第29題
  如圖為共源極放大電路及其 MOS 電晶體的轉換特性與輸出負載線關係，假設 $R_G \gg 2\text{ k}\Omega$，該放大電路的小信號電壓增益絕對值為何？
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• 108年 初等考試 第31題
  如圖為一共閘（CG）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 $g_m$，輸出電阻為 $r_o \to \infty$，則此放大器的電壓增益為何？
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• 108年 初等考試 第32題
  如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 $g_m=0.5\text{ mA/V}$，$V_A=\infty$，$R_D=5\text{k}\Omega$，則此放大器的輸入電阻 $R_i$為：
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• 107年 初等考試 第25題
  如圖所示之放大器電路，電晶體 $M_1$ 之參數如下：$V_{th1} = 0.4\text{ V}$，$\mu_{n1} C_{ox} = 200\text{ }\mu\text{A/V}^2$，且…
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• 106年 初等考試 第24題
  如圖所示之放大器電路，電晶體 M 之參數如下：$V_{th} = 0.4\text{ V}$，$\mu_nC_{ox} = 200\text{ }\mu\text{A/V}^2$，且 $\lambda = 0$…
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• 105年 初等考試 第19題
  如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？
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• 105年 初等考試 第23題
  如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$，輸出阻抗（$r_o$）為 $10\text{ k}\Omega$…
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• 105年 初等考試 第27題
  有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？
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• 105年 初等考試 第33題
  如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$；BJT 操作在主動區（forward active regi…
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• 105年 初等考試 第39題
  如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（$g_m$）為 $1\text{ mA/V}$，忽略其輸出阻抗（$r_o$），該放大器之高頻 3-dB 頻率…
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