雙極性電晶體直流偏壓電路設計與穩定性

📝 歷屆考古題

• 115年 taipower_recruit 第13題
  一功率電晶體，接面最高允許溫度\(T_{J(max)} = 175 ^{\circ}C\)，在外殼溫度\(T_C = 25 ^{\circ}C\)下，若\(\theta_{Jc} = 1 ^{\cir…
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• 114年 taipower_recruit 第14題
  已知有一BJT，其 $g_m=80\text{ mA/V}$、$r_\pi=2.5\text{ k}\Omega$、$V_T=25\text{ mV}$，試求 $\beta$ 為多少？
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• 114年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示之電路，已知BJT之 $\beta=100$，試求其處於飽和狀態的最小電流 $I_B$ 為多少 mA？(計算至小數點後第1位，以下四捨五入)
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• 114年 taipower_recruit 第30題
  如右圖所示之電路，若電晶體 $\beta=99$，切入電壓 $V_{BE}=1\text{ V}$，試求電路消耗直流功率為多少mW？
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• 114年 taipower_recruit 第41題
  已知BJT的輸入直流偏壓電流為 $I_{EQ}=2\text{ mA}$，且熱電壓為 $V_T=14\text{ mV}$，試求其射極交流電阻 $r_e$ 為多少$\Omega$？
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• 113年 taipower_recruit 第11題
  11. 有一電路如右圖所示，$I_{REF} = 0.3 \text{ mA}$，試求 $I_1$ 為何？
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• 113年 taipower_recruit 第14題
  14. 有一電路如右圖所示，$V_{BE} = 0.6 \text{ V}$，$\beta = 99$，$V_T = 25 \text{ mV}$，$V_i = 1.6 \text{ V}$，…
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• 113年 taipower_recruit 第41題
  41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，基極直流電 $I_B = 10 \text{ \mu A}$，$\beta = 99$，試求室溫下…
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• 113年 taipower_recruit 第49題
  49. 有一雙極性接面電晶體(BJT)，$\beta = 100$，已知室溫下熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，若 $I_C = 0.5 \text{ mA}$，試求該 BJT 之…
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• 112年 taipower_recruit 第13題
  一個工作在主動模式之 BJT，其爾利電壓(Early Voltage)為 25 V，$I_C = 2.5\text{ mA}$，則其輸出電阻 $r_o$ 值為何？
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• 112年 taipower_recruit 第37題
  如右圖所示之電路，$V_s = 5\text{ V}$，$R_E = 1\text{ k}\Omega$，$R_B = 100\text{ k}\Omega$，$V_{BE(t)} = 0.6\text{ V}$…
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• 112年 taipower_recruit 第40題
  BJT交流等效電路中，已知互導增益 $g_m = 20\text{ mA/V}$，$r_e = 49\text{ }\Omega$，試求 $r_\pi$？
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• 111年 taipower_recruit 第5題
  某BJT共射極組態工作於主動區，直流偏壓基極電流為10 μA，集極電流為1 mA，且熱電壓V_T= 25 mV，試求BJT之射極交流電阻r_e約為何？
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• 111年 taipower_recruit 第6題
  如右圖所示矽質電晶體電路，若β=100，R_C=2 KΩ，R_1=10 KΩ，R_2=15KΩ，V_{CC}=15 V，V_C= 5 V時，試求其 I_B為何？
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• 111年 taipower_recruit 第21題
  一共基極放大器，在室溫下之熱電壓V_T= 26 mV，已知其電壓增益為20，若直流工作點I_{EQ}= 2 mA，試求其小訊號r_e電阻為何？
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• 111年 taipower_recruit 第29題
  如右圖所示，β =100，若V_{in}= 50 mV，試求負載電流i_L為何？
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• 111年 taipower_recruit 第42題
  有兩個特性完全相同的電晶體，連接成如右圖之電路，該兩晶體的特性如下：V_{BE}= 0.7 V，β= 200，V_T= 25 mV，若逆向飽和電流不計入，試求其Q_1電晶體的 I_{C1}約為何？
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• 110年 taipower_recruit 第12題
  如右圖所示，共射極電路若VCC = 12 V，VCE = 6 V，VBE = 0.7 V， RB = 390 k\Omega，RC = 2 k\Omega，則電晶體之$\beta$值最接近下列何者？
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• 109年 taipower_recruit 第7題
  如右圖所示，試求集極電流的飽和值為何？
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• 108年 taipower_recruit 第16題
  如右圖所示之電路，若BJT之$\beta$=1000，$V_{BE}$=0.7V，則$V_{CE}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第20題
  如【圖1】所示，若BJT之$\beta$=50，切入電壓$V_{BE}$=0.7V，則集射極電壓$V_{CE}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第21題
  如【圖2】所示，若BJT之$\beta$=100，$V_{CE}$=5 V，$V_{BE}$=0.7V，則$R_B$值約為何?
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• 107年 taipower_recruit 第15題
  如右圖所示,基極電壓為$0.7\text{V}$,集極電壓為$2\text{V}$,若熱電壓$V_T$為$25\text{mV}$,則$r_e$值為何?
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• 107年 taipower_recruit 第17題
  如右圖所示，假設雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7$，$\beta = 100$，$R_B = 200\,k\Omega$，$R_C = 4\,k\Omega$，則集極電壓$V_C$約為下列何…
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• 107年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示，假設雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7\,V$，$\beta = 99$，求$I_B$電流約為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第19題
  承上題，$I_C$電流值約為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第33題
  假設某電晶體工作於線性區，$V_T = 25$ mV，基極直流電$I_B = 10\,\mu\mathrm{A}$，$\beta = 99$，求室溫下交流等效電阻$r_e$的值為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第40題
  如右圖，已知雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7$ V，$\beta = 100$，且$I_B = 20\,\mu\mathrm{A}$，則電路集極電流$I_C$及射極電流$I_E$分別為下列何…
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• 106年 taipower_recruit 第5題
  5. 如右圖所示電路，假設射極電壓 $V_E = -0.7 V$，$\beta = 50$，$V_{CC} = 10 V$，則 $V_C$ 約為多少？
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• 106年 taipower_recruit 第7題
  7. 如右圖所示電路，$Q_1$ 與 $Q_2$ 為匹配之電晶體 ($\beta_1 = \beta_2 = \beta$)，且皆操作於作用區 (active region)，請問 $\frac{I_o}{I_{ref}}$…
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• 106年 taipower_recruit 第18題
  18. 如右圖所示之 LED 驅動電路，使 LED 發亮的電壓為 2 V，電流為 15 mA，假設飽和電晶體之 $V_{CE(sat)}$ 電壓降可忽略不計，$V_{BE(sat)} = 0.8 V$…
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• 106年 taipower_recruit 第36題
  36. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 100$，集極電流為 2 mA，$V_{CE} = 4 V$，$R_C$ 兩端之電壓為 4 V，$V_{BE} = 0.7 V$，則 $R_E$ 之…
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• 105年 taipower_recruit 第35題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 50，則當 $V_i = 2.5 \text{ V}$，$R_C$ 為多少？
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• 105年 taipower_recruit 第36題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 100，$V_{BE} = 0.7 \text{ V}$，當 $I_B$ 趨近於 0 時，$V_{CB}$ 為多少？
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• 105年 taipower_recruit 第37題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 100，$V_{BE} = 0.7 \text{ V}$，熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，則基極交流電阻 $r_\pi$ 為多少…
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• 104年 taipower_recruit 第17題
  如右圖所示之電路，假設雙極性接面電晶體的 $\beta = 100$，$V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則在工作點 $\text{Q}$ 上所對應之電壓 $V_{CE}$ 值應為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第20題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 $100$，則使電晶體處於飽和狀態的最小 $I_B$ 約為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第23題
  假設一功率電晶體之接面最高允許溫度 $T_{J(MAX)} = 175\text{ }^\circ\text{C}$，於外殼溫度 $T_C = 25\text{ }^\circ\text{C}$ 下，…
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• 103年 taipower_recruit 第17題
  承第16題,若$V_{cc}=12\text{V}$ ,$V_{BE}=0.7\text{V}$ ,$\beta=100$ ,$R_B=100\text{ k}\Omega$ ,$R_C=400\text{ k}\Omega$…
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• 103年 taipower_recruit 第20題
  如【圖9】所示之電路,$V_{cc}=10\text{ V}$ ,$R_1=R_2=100\text{ k}\Omega$ ,$R_C=1\text{ k}\Omega$ ,電晶體為矽質,$\beta=50$…
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• 103年 taipower_recruit 第28題
  如【圖14】所示,若電晶體$\beta=60$ ,$V_{BE}=0.7\text{V}$ ,$V_T=26\text{mV}$ ,$n=1$ ,則電晶體的$r_e$為多少?
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• 103年 taipower_recruit 第32題
  共基極放大器,在室溫26℃下工作,電壓增益為13,若直流工作點$I_{EQ}=0.5\text{ mA}$ ,則小信號$r_e$電阻為多少歐姆($\Omega$)?
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• 102年 taipower_recruit 第11題
  承第 10 題，試求 $V_{CE2}$ 為何？
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• 102年 taipower_recruit 第15題
  如【圖 5】所示，一個兩級串接耦合放大器，$V_{cc}=20.7\text{ V}$、$R_{B1}=100\text{ k}\Omega$、$R_{C2}=0.5\text{ k}\Omega$、…
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• 102年 taipower_recruit 第16題
  承第 15 題，試求 $I_{B2}$ 為何？
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• 102年 taipower_recruit 第19題
  如【圖 6】所示，已知雙極性接面電晶體 $\beta=94$，$R_1=R_2=10\text{ k}\Omega$，$R_C=2.5\text{ k}\Omega$，$R_E=1\text{ k}\Omega$…
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• 102年 taipower_recruit 第24題
  如【圖 7】所示，若 $V_{CC}=12\text{ V}$、$R_C=1\text{ k}\Omega$、$\beta=58$，電晶體基射級順向導通電壓為 $0.7\text{ V}$，集射極飽和…
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• 102年 taipower_recruit 第25題
  如【圖 8】所示，已知雙極性接面電晶體 $\beta=100$，$V_{BE}=0.7\text{ V}$，集極電流 $I_C=2\text{ mA}$，集極與射極間電壓 $V_{CE}=5\text{ V}$…
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• 101年 taipower_recruit 第12題
  如【圖 4】所示，電晶體 $\beta=50$，$V_{BE}=0.7\text{ V}$，$V_{CE(sat)}=0.2\text{ V}$，則下列 $V_B$ 值何者可確保電晶體工作於飽和區？
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• 101年 taipower_recruit 第16題
  如【圖 8】所示為鏡像電流源，$Q_1$、$Q_2$ 是相同電晶體，則 I = ？
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• 101年 taipower_recruit 第34題
  如【圖 16】電路所示，其矽質電晶體之射極偏壓 $V_E$ 約為何值？
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