金氧半場效電晶體的特性與參數分析

📝 歷屆考古題

• 113年 moea_joint 第31題
  如右圖所示之N通道MOSFET電路圖，若$V_{DD} = 15$伏特，洩極(Drain)電流$I_D = 10$毫安培，試求閘極與源極間電壓$V_{GS}$值為何？
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• 113年 moea_joint 第32題
  有一場效電晶體，導電參數$K = 2\text{ mA/V}^2$，若其直流工作點汲極電流為$12.5\text{ mA}$，試求互導$g_m$值為何？
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• 113年 moea_joint 第36題
  如右圖所示之電路圖，屬於下列何種邏輯閘？
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• 113年 moea_joint 第47題
  有一N通道JFET在歐姆區內正常工作，若閘極與源極間電壓$V_{GS}$負值越大時，下列何者正確？
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• 112年 moea_joint 第34題
  有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 $V_T$ (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？
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• 112年 moea_joint 第35題
  有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
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• 112年 moea_joint 第36題
  有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 $I_D = \frac{1}{2} I_{DSS}$，下列哪一種方式…
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• 112年 moea_joint 第37題
  有一空乏型 n 通道 MOSFET，$K_n' W/L = 2\text{ mA} / \text{V}^2$，$V_t = -3\text{ V}$，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道…
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• 112年 moea_joint 第49題
  兩端輸入的 CMOS XOR 邏輯閘，至少需由多少顆電晶體組成？
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• 112年 moea_joint 第50題
  有關 CMOS 反相器(Inverter)之功率消耗，下列敘述何者有誤？
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• 111年 moea_joint 第38題
  如右圖所示之電路，已知$Q_1$ FET的 $V_{T1} = 3\text{ V}$，且 $K_1 = 0.1\text{ mA/V}^2$，$Q_2$ FET的 $V_{T2} = 2\text{ V}$…
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• 111年 moea_joint 第39題
  已知某N通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 $V_{GS(off)} = -7\text{ V}$，若此 MOSFET 工作於飽和區，且閘極對源極電壓 $V_{GS}$ 為0 V時，汲極電流為 18…
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• 111年 moea_joint 第40題
  如右圖所示，已知 $r_d = \infty$，$g_m = 5\text{ mS}$，則電壓增益 $A_V$ 值為何？
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• 111年 moea_joint 第41題
  在CMOS邏輯電路中，下列敘述何者正確？
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• 111年 moea_joint 第42題
  如右圖所示，MOSFET數位電路輸入與輸出的關係為何？
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• 111年 moea_joint 第46題
  如右圖所示之電路，已知 $K = 0.75\text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = 2\text{V}$，試求此電路互導 $g_m$ 為何？
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• 110年 moea_joint 第31題
  如右圖之 JFET 共源極放大器電路，若 $V_{GS} = 15$ V 時，反向漏電流 $I_{GSS} = 60$ nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
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• 110年 moea_joint 第32題
  對一 MOSFET 以一固定的 $V_{GS}$ 電壓操作於飽和區，在 $V_{DS} = 4$ V 時，$i_D = 2$ mA ，且 $V_{DS} = 6$ V 時，$i_D = 2.05$ m…
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• 110年 moea_joint 第33題
  下列何種邏輯閘具有最短的傳遞延遲時間？
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• 110年 moea_joint 第34題
  在積體電路中，NMOS 的基體 (B) 端應與下列何者相接?
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• 110年 moea_joint 第37題
  由 CMOS FET 組成傳輸閘 (Transmission Gate) 時，組成元件為下列何者？
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• 110年 moea_joint 第41題
  如右圖電路，已知 CMOS 反向電路的 $V_{TN} = 0.8$ V，$V_{TP} = -0.8$ V且 $K_n = K_p$，假設 $v_{O1} = 4$ V 時，請問 $v_I$ 的電壓…
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• 110年 moea_joint 第50題
  右圖電路為下列何種電路？
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• 109年 moea_joint 第31題
  如右圖所示之電路，二電晶體參數均為 $V_{TH} = 0.4\text{ V}$ 及 $k_n' = 120 \mu\text{A/V}^2$，若 $M_1$ 和 $M_2$ 長寬比為 $(W/L)_1 = 30$…
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• 109年 moea_joint 第35題
  如右圖所示CMOS數位電路，請問輸出 Y為何種邏輯函數？
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• 109年 moea_joint 第41題
  如右圖所示，其中接面場效電晶體(JFET)之夾止電壓 $V_P = -4\text{ V}$。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點為 $V_{DS} = 3\text{ V}$、$I_D = 1\text{ mA}$…
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• 109年 moea_joint 第50題
  有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓 $V_T = 2\text{ V}$，當 $V_{GS} = 5\text{ V}$時，MOSFET工作於飽和區(夾止區)，$I_D = 3\text{ mA}$…
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• 108年 moea_joint 第35題
  假設一JFET之IDSS＝6 mA、VP＝-4 V，若工作於VGS＝-2 V，試求互導gm為何？
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• 108年 moea_joint 第39題
  假設一JFET共源極放大器，互導gm＝2 mS、汲極電阻RD＝15 kΩ、負載電阻RL＝5 kΩ、源極接地，請問電壓放大倍率為何？
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• 108年 moea_joint 第41題
  如右圖所示FET電路，若汲極靜態電流為0.3 mA，試求 VGS 為何？
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• 108年 moea_joint 第44題
  如右圖所示CMOS數位電路，請問輸出Y為何種邏輯函數？
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• 108年 moea_joint 第47題
  如右圖所示電路，若JFET互導gm＝2 mS，試求電壓增益 AV 為何？
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• 108年 moea_joint 第48題
  如右圖所示電路，若JFET之IDSS＝5 mA、VP＝-4 V，試求 ID 為何？
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• 107年 moea_joint 第39題
  有一接合面場效應電晶體 JFET 的汲極飽和電流 $I_{DSS} = 16\text{ mA}$，夾止電壓 $V_{GS(off)} = -4\text{ V}$，請問此 JFET 為何種通道？另，…
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• 107年 moea_joint 第45題
  右圖的電路包含 5 個完全相同的電晶體，各電晶體的臨限電壓 $V_t = 1\text{ V}$，假設可忽略基體效應與通道長度調變效應，試求輸出電壓 $V_o$ 為何？
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• 106年 moea_joint 第28題
  如右圖之JFET共源極放大器電路，若$V_{GS}= 20\text{ V}$時、反向漏電流$I_{GSS}=50\text{ nA}$，由信號源看入之輸入阻抗為何？
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• 106年 moea_joint 第29題
  對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即$I_D = \frac{1}{2}I_{DSS}$，下列哪一種方式可達成？
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• 106年 moea_joint 第30題
  有一增強型MOSFET，其臨界電壓$V_{GS(th)}=2\text{ V}$，當$V_{GS}=8\text{ V}$時、對應之$I_{D(on)}=200\text{ mA}$，求$V_{GS}=5\text{ V}$…
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• 106年 moea_joint 第37題
  如右圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，$V_{out}$為輸出，若希望輸出得到高電位($V_{DD}$)，試問A、B輸入應為何？
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• 106年 moea_joint 第49題
  有一MOSFET，若$I_{DSS}=10\text{ mA}$、$V_{GS(off)}= -4\text{ V}$，當$V_{GS}= -2\text{ V}$時，試求其轉換電導$g_m$？
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• 106年 moea_joint 第50題
  如右圖JFET共源極放大器電路，試求電壓增益$A_v$為何？
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• 105年 moea_joint 第34題
  對一 MOSFET 以一固定的 $v_{GS}$ 電壓操作在飽和區，在 $v_{DS} = 4\text{ V}$ 時，$i_D = 2\text{ mA}$，且 $v_{DS} = 8\text{ V}$…
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• 105年 moea_joint 第35題
  對一增強型的 PMOS 電晶體，其 $k_p'(W/L) = 90\text{ }\mu\text{A/V}^2$，$V_t = -1.5\text{ V}$，爾利電壓 (Early Voltage)…
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• 105年 moea_joint 第36題
  在積體電路中，NMOS 的基體 (B) 端應如何接？
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• 105年 moea_joint 第39題
  如右圖之電路，已知此 CMOS 反向器電路的 $V_{TN} = 0.8\text{ V}$，$V_{TP} = -0.8\text{ V}$ 且 $K_n = K_p$，假設 $v_{O1} = 0.5\text{ V}$…
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• 105年 moea_joint 第42題
  如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 Threshold Voltage 電壓值 $V_T$，下列敘述何者正確？
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• 105年 moea_joint 第46題
  如右圖的電晶體放大電路，$g_m = 2\text{ mA/V}$，$r_o = 100\text{ k}\Omega$，$R_D = 6\text{ k}\Omega$，$R_L = 100\text{ k}\Omega$…
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• 105年 moea_joint 第47題
  如右圖的數位邏輯電路，A、B為邏輯輸入，請問 Y輸出為何？
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• 104年 moea_joint 第18題
  如右圖MOSFET電路，$|V_t| = 1$ V、$\mu_n C_{ox} = 20 \mu\text{A/V}^2$、$\mu_p C_{ox} = 10 \mu\text{A/V}^2$，若…
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• 104年 moea_joint 第22題
  一增強型NMOS電晶體，$V_{t0} = 2$ V、$2\phi_f = 0.6$ V、$\gamma = 0.4 \text{V}^{\frac{1}{2}}$，求 $V_{SB} = 3.5$…
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• 104年 moea_joint 第23題
  如右圖，A、B、C為邏輯輸入，Y輸出為何？
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• 104年 moea_joint 第25題
  在積體電路設計中，盡量避免使用何種元件？
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• 103年 moea_joint 第18題
  右圖CMOS FET之邏輯電路是何種邏輯閘？
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• 103年 moea_joint 第33題
  如右圖FET偏壓電路，給定$V_T=1 \text{V}$，$k'_n(\frac{W}{L})=1 \text{mA/V}^2$在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modula…
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• 103年 moea_joint 第40題
  假設N通道JFET其$I_{DSS}=10 \text{mA}$，$V_{GS(off)}= -5 \text{V}$，當JFET工作在定電流區時，求$V_{GS}= -1 \text{V}$，…
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• 102年 moea_joint 第24題
  由 CMOS FET 組成傳輸閘(Transmission Gate)時，組成元件為下列何者?
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• 102年 moea_joint 第29題
  如【圖 10】所示之 FET 邏輯電路，輸出 Y 與下列何者邏輯運算結果相符?
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• 101年 moea_joint 第33題
  如右下【圖7】所示電路為恆流源電路,其中汲源飽和電流 $I_{DSS}=4mA$, $V_{DD} = 12\,V$, $R_D=1\,KΩ$,則輸出電壓 $V_o$ 為何?
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• 101年 moea_joint 第34題
  如右下【圖8】所示為何種電晶體?
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• 101年 moea_joint 第55題
  場效電晶體小訊號模型中, $g_m=g_{mo} \left(1-\frac{V_{GS}}{V_{GS(OFF)}}\right)$ ,對 $g_{mo}$ 之敘述下列何者正確?
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• 101年 moea_joint 第58題
  如右【圖14】電路所示為MOSFET 邏輯電路,其邏輯運算為何?
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• 100年 moea_joint 第30題
  如右【圖16】中所示電路，$V_D$ 約為 7 V，試求其 $I_D$、$V_{GS}$ 其值各為多少？
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• 100年 moea_joint 第34題
  如右【圖20】所示為場效電晶體放大器，試求此共源極放大器之電壓增益 $A_V = V_{out} / V_{in}$？
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• 100年 moea_joint 第35題
  一具空乏型負載的 NMOS 放大器和一 CMOS 數位邏輯反相器相互比較之下，它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為何？
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• 100年 moea_joint 第40題
  N通道增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是？($V_{TH}$ 臨界電壓)
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