雙極性接面電晶體之小訊號模型與放大器分析

📝 歷屆考古題

• 115年 taipower_recruit 第13題
  一功率電晶體，接面最高允許溫度$T_{J(max)} = 175 ^{\circ}C$，在外殼溫度$T_C = 25 ^{\circ}C$下，若$\theta_{Jc} = 1 ^{\circ}C/W$…
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• 115年 taipower_recruit 第43題
  如右圖所示之電路，$R_1 =10 k\Omega$，$R_2 = 5 k\Omega$，$R_E= 3.3 k\Omega$，若電晶體之切入電壓$V_{BE} = 0.7 V$，熱電壓$V_T = 25 mV$…
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• 114年 taipower_recruit 第14題
  已知有一BJT，其 $g_m=80\text{ mA/V}$、$r_\pi=2.5\text{ k}\Omega$、$V_T=25\text{ mV}$，試求 $\beta$ 為多少？
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• 114年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示之電路，已知BJT之 $\beta=100$，試求其處於飽和狀態的最小電流 $I_B$ 為多少 mA？(計算至小數點後第1位，以下四捨五入)
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• 114年 taipower_recruit 第30題
  如右圖所示之電路，若電晶體 $\beta=99$，切入電壓 $V_{BE}=1\text{ V}$，試求電路消耗直流功率為多少mW？
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• 114年 taipower_recruit 第41題
  已知BJT的輸入直流偏壓電流為 $I_{EQ}=2\text{ mA}$，且熱電壓為 $V_T=14\text{ mV}$，試求其射極交流電阻 $r_e$ 為多少$\Omega$？
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• 114年 taipower_recruit 第48題
  如右圖所示為NPN型達寧頓(Darlington)電路，若電晶體 $\beta_1=\beta_2=40$，等效電流增益 $\beta$ 為多少？
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• 114年 taipower_recruit 第50題
  如右圖所示之電路，試求電壓增益為何？
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• 113年 taipower_recruit 第6題
  有一電路如右圖所示，$r_{\pi} = 1 \text{ k}\Omega$，$R = 0.01 \text{ k}\Omega$，$\beta = 199$，試求輸入阻抗 $Z_i$ 為何？
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• 113年 taipower_recruit 第11題
  有一電路如右圖所示，$I_{REF} = 0.3 \text{ mA}$，試求 $I_1$ 為何？
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• 113年 taipower_recruit 第13題
  有一電路如右圖所示，已知 PMOS 參數 $V_A = 20 \text{ V}$，電晶體 $|V_A| = 100 \text{ V}$，$\beta = 100$，$V_T = 25 \text{ mV}$…
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• 113年 taipower_recruit 第14題
  有一電路如右圖所示，$V_{BE} = 0.6 \text{ V}$，$\beta = 99$，$V_T = 25 \text{ mV}$，$V_i = 1.6 \text{ V}$，…
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• 113年 taipower_recruit 第15題
  有一共射極(CE)放大器如右圖所示，下列敘述何者有誤？
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• 113年 taipower_recruit 第41題
  雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，基極直流電 $I_B = 10 \text{ \mu A}$，$\beta = 99$，試求室溫下交流等效…
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• 113年 taipower_recruit 第49題
  有一雙極性接面電晶體(BJT)，$\beta = 100$，已知室溫下熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，若 $I_C = 0.5 \text{ mA}$，試求該 BJT 之 $g_m$…
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• 112年 taipower_recruit 第13題
  一個工作在主動模式之 BJT，其爾利電壓(Early Voltage)為 25 V，$I_C = 2.5\text{ mA}$，則其輸出電阻 $r_o$ 值為何？
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• 112年 taipower_recruit 第37題
  如右圖所示之電路，$V_s = 5\text{ V}$，$R_E = 1\text{ k}\Omega$，$R_B = 100\text{ k}\Omega$，$V_{BE(t)} = 0.6\text{ V}$…
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• 112年 taipower_recruit 第40題
  BJT交流等效電路中，已知互導增益 $g_m = 20\text{ mA/V}$，$r_e = 49\text{ }\Omega$，試求 $r_\pi$？
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• 112年 taipower_recruit 第41題
  如右圖所示之電路，$R_B = 10\text{ k}\Omega$，$R_E = 1\text{ k}\Omega$，$R_C = 5\text{ k}\Omega$，$\beta = 200$，$I_{BQ} = 13\text{ \mu A}$…
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• 112年 taipower_recruit 第46題
  如右圖所示，$R_G = 10\text{ k}\Omega$，$R_S = 1\text{ k}\Omega$，$R_L = 4\text{ k}\Omega$，$I_{DQ} = 2\text{ mA}$…
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• 111年 taipower_recruit 第5題
  某BJT共射極組態工作於主動區，直流偏壓基極電流為10 μA，集極電流為1 mA，且熱電壓V_T= 25 mV，試求BJT之射極交流電阻r_e約為何？
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• 111年 taipower_recruit 第6題
  如右圖所示矽質電晶體電路，若$\beta=100$，$R_C$=2 KΩ，$R_1$=10 KΩ，$R_2$=15KΩ，$V_{CC}$=15 V，$V_C$= 5 V時，試求其 $I_B$為何？
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• 111年 taipower_recruit 第9題
  如右圖所示，有一放大器的小訊號等效電路，若$h_{fe}=200$，$h_{ie}=1$ KΩ，$R_L=2$ KΩ，試求其電壓增益$A_v$為何？
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• 111年 taipower_recruit 第11題
  如右圖所示，已知V_{CC}= 12 V，R_1= 100 KΩ，R_2= 100 KΩ，R_E= 10 Ω，h_{ie}=r_$\pi= 1 K$Ω，h_{fe}=$\beta= 99$，試求其輸出…
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• 111年 taipower_recruit 第21題
  一共基極放大器，在室溫下之熱電壓$V_T$= 26 mV，已知其電壓增益為20，若直流工作點$I_{EQ}$= 2 mA，試求其小訊號$r_e$電阻為何？
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• 111年 taipower_recruit 第24題
  如右圖所示共源極放大器，若場效應電晶體參數r_d= 30 KΩ，g_m= 2 mA/V，試求其電路的中頻電壓增益A_V為何？
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• 111年 taipower_recruit 第29題
  如右圖所示，$\beta =100$，若$V_{in}= 50$ mV，試求負載電流$i_L$為何？
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• 111年 taipower_recruit 第42題
  有兩個特性完全相同的電晶體，連接成如右圖之電路，該兩晶體的特性如下：$V_{BE}$= 0.7 V，β= 200，$V_T$= 25 mV，若逆向飽和電流不計入，試求其$Q_1$電晶體的 $I_{C1}$…
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• 110年 taipower_recruit 第12題
  如右圖所示，共射極電路若VCC = 12 V，VCE = 6 V，VBE = 0.7 V，RB = 390 kΩ，RC = 2 kΩ，則電晶體之β值最接近下列何者？
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• 110年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示之串級電路，已知$\beta_1 = \beta_2 = 50$，則此放大器的電流增益為何？
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• 110年 taipower_recruit 第39題
  如右圖所示之放大器，若 R1 = 100 kΩ，R2 = 10 kΩ，R = 100 kΩ，求由A端看入之輸入電阻Ri為何？
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• 109年 taipower_recruit 第7題
  如右圖所示，試求集極電流的飽和值為何？
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• 108年 taipower_recruit 第16題
  如右圖所示之電路，若BJT之$\beta$=1000，$V_{BE}$=0.7V，則$V_{CE}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第17題
  承第16題，假設不考慮$V_A$ (Early Effect)效應，其電壓增益$\frac{V_o}{V_i}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第20題
  如【圖1】所示，若BJT之$\beta$=50，切入電壓$V_{BE}$=0.7V，則集射極電壓$V_{CE}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第21題
  如【圖2】所示，若BJT之$\beta$=100，$V_{CE}$=5 V，$V_{BE}$=0.7V，則$R_B$值約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第22題
  如【圖3】所示，兩BJT之$\beta$=80，$V_{BE}$皆為0.7V，若不需考慮$V_A$(Early Effect)，且$r_o$很小可忽略的情況下，則輸入阻抗$Z_i$為何?
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• 108年 taipower_recruit 第23題
  承第22題，輸入阻抗$Z_o$之值約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第33題
  如【圖4】所示，假設$Q_1$、$Q_2$電晶體之參數完全相同，且電晶體之基極電流可忽略不計，$V_t$= 25 mV，試求電路之小訊號電壓增益$\frac{V_{io}}{V_i}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第34題
  如【圖5】所示，假設經由小訊號分析得知$Z_1$=2MΩ，則其電流增益$\frac{I_o}{I_i}$約為何?
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• 108年 taipower_recruit 第40題
  如【圖9】所示，$R_G$=10kΩ，$R_D$=5kΩ，若JFET之$r_{ds}$=20kΩ，$g_m$=1.5(mA/V)，電壓增益$\frac{V_o}{V_s}$為何?
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• 108年 taipower_recruit 第41題
  如【圖10】所示JFET共源極放大電路，若JFET之轉移電導$g_m$=2 (mA/V)，輸出電阻$r_d$=40kΩ，則放大電路的電流增益$\frac{I_o}{I_i}$為何?
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• 108年 taipower_recruit 第42題
  如【圖11】所示，若JFET的轉移電導$g_m$=4(mA/V)，不考慮汲極輸出電阻時，則輸出電阻$Z_o$為何?
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• 107年 taipower_recruit 第9題
  如右圖所示,電晶體$Q_1$與$Q_2$有相同特性,若$V_{CC} = 20\text{ V}$、$V_{EE} = -10\text{V}$,電阻$R_1 = R_2 = R_3 = 5\text{ k}\_\Omega$…
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• 107年 taipower_recruit 第15題
  如右圖所示,基極電壓為$0.7\text{V}$,集極電壓為$2\text{V}$,若熱電壓$V_T$為$25\text{mV}$,則$r_e$值為何?
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• 107年 taipower_recruit 第17題
  如右圖所示，假設雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7$，$\beta = 100$，$R_B = 200\,k\Omega$，$R_C = 4\,k\Omega$，則集極電壓$V_C$約為下列何…
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• 107年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示，假設雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7\,V$，$\beta = 99$，求$I_B$電流約為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第19題
  承上題，$I_C$電流值約為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第22題
  假設電晶體之$\alpha= 0.995$，基極電流$I_B= 0.04$ mA，集極電流$I_C= 4.0$ mA，則該電晶體工作於下列何區？
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• 107年 taipower_recruit 第25題
  如右圖所示,若$R_1=3\text{ M}\Omega$,$R_2 = 1\text{ M}\Omega$,$R_D = 4\text{ k}\Omega$,$r_d\rightarrow \infty$…
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• 107年 taipower_recruit 第33題
  假設某電晶體工作於線性區，$V_T = 25$ mV，基極直流電$I_B = 10\,\mu\mathrm{A}$，$\beta = 99$，求室溫下交流等效電阻$r_e$的值為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第37題
  如右圖所示之電路，$R_G = 10\,k\Omega$，$R_D = 10\,k\Omega$，若JFET場效電晶體之$r_d = 10\,k\Omega$，$g_m = 2.5\,\mathrm{mA/V}$…
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• 107年 taipower_recruit 第38題
  如右圖之電路中，若$g_m = 5\,\mathrm{mA/V}$，$R_S = 4\,k\Omega$，則輸出阻抗約為下列何者？
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• 107年 taipower_recruit 第40題
  如右圖，已知雙極性接面電晶體$V_{BE} = 0.7$ V，$\beta = 100$，且$I_B = 20\,\mu\mathrm{A}$，則電路集極電流$I_C$及射極電流$I_E$分別為下列何…
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• 107年 taipower_recruit 第44題
  如右圖所示電路，試問下列何者電阻是利用米勒(Miller)效應來提升輸入阻抗？
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• 106年 taipower_recruit 第5題
  如右圖所示電路，假設射極電壓 $V_E = -0.7 V$，$\beta = 50$，$V_{CC} = 10 V$，則 $V_C$ 約為多少？
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• 106年 taipower_recruit 第7題
  如右圖所示電路，$Q_1$ 與 $Q_2$ 為匹配之電晶體 ($\beta_1 = \beta_2 = \beta$)，且皆操作於作用區 (active region)，請問 $\frac{I_o}{I_{ref}}$…
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• 106年 taipower_recruit 第10題
  如右圖所示電路，已知 $g_m = 5 mS$，$r_d = 20 k\Omega$，則 $V_o$ 為何？
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• 106年 taipower_recruit 第18題
  如右圖所示之 LED 驅動電路，使 LED 發亮的電壓為 2 V，電流為 15 mA，假設飽和電晶體之 $V_{CE(sat)}$ 電壓降可忽略不計，$V_{BE(sat)} = 0.8 V$，試求…
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• 106年 taipower_recruit 第19題
  如右圖所示之放大電路，已知電晶體的 $\beta$ 值為 109，此電路的 $r_\pi$ 為 $1.1 k\Omega$，則此放大電路的輸出阻抗 $Z_o$ 約為多少？
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• 106年 taipower_recruit 第36題
  如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 100$，集極電流為 2 mA，$V_{CE} = 4 V$，$R_C$ 兩端之電壓為 4 V，$V_{BE} = 0.7 V$，則 $R_E$ 之電阻值約…
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• 106年 taipower_recruit 第44題
  有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數 $g_m = 1.5 m\mho$，$r_d = 10 k\Omega$，已知電路中不存在源極電阻 $R_S$，而汲極電阻 $R_D = 10 k\Omega$…
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• 105年 taipower_recruit 第11題
  如右圖所示電晶體電路，假設輸入信號 $V_s$ 為交流小信號且無直流成分，又電晶體的 $r_o$ 可忽略，則右圖之輸入電阻 $R_{in}$ 為？
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• 105年 taipower_recruit 第20題
  如右圖之電路，假設處於理想狀況，當 $V_o$ 增加至某一準位，而電路仍正常工作下，則下列何者正確？
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• 105年 taipower_recruit 第35題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 50，則當 $V_i = 2.5 \text{ V}$，$R_C$ 為多少？
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• 105年 taipower_recruit 第36題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 100，$V_{BE} = 0.7 \text{ V}$，當 $I_B$ 趨近於 0 時，$V_{CB}$ 為多少？
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• 105年 taipower_recruit 第37題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 100，$V_{BE} = 0.7 \text{ V}$，熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，則基極交流電阻 $r_\pi$ 為多少…
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• 105年 taipower_recruit 第45題
  如右圖所示之電路，若 $g_m = 2 \text{ mA/V}$，$r_d = 100 \text{ k}\Omega$，則 JFET 共源極放大電路的電流增益 $A_i$ 為多少？
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• 105年 taipower_recruit 第46題
  如右圖所示之電路，已知 JFET 之 $I_{DSS} = 4 \text{ mA}$，夾止電壓 $V_P = -4 \text{ V}$，汲極電阻 $r_d = \infty$，則電壓增益 $A_V$…
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• 104年 taipower_recruit 第14題
  如右圖所示電路，若 $h_{re} = h_{oe} = 0$，$h_{ie} = 1\text{ k}\Omega$，$h_{fe} = 100$，則 $V_i$ 點與接地點間的輸入阻抗為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第16題
  如右圖共射極放大電路的交流等效電路中，電流增益 $i_o / i_i$ 為何？
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• 104年 taipower_recruit 第17題
  如右圖所示之電路，假設雙極性接面電晶體的 $\beta = 100$，$V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則在工作點 $\text{Q}$ 上所對應之電壓 $V_{CE}$ 值應為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第20題
  如右圖所示之電路，若電晶體的 $\beta$ 值為 $100$，則使電晶體處於飽和狀態的最小 $I_B$ 約為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第22題
  如右圖所示之達靈頓電路，則 $Z_i$ 的值為多少？
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• 104年 taipower_recruit 第23題
  假設一功率電晶體之接面最高允許溫度 $T_{J(MAX)} = 175\text{ }^\circ\text{C}$，於外殼溫度 $T_C = 25\text{ }^\circ\text{C}$ 下，…
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• 103年 taipower_recruit 第17題
  承第16題,若$V_{cc}=12\text{V}$ ,$V_{BE}=0.7\text{V}$ ,$\beta=100$ ,$R_B=100\text{ k}\Omega$ ,$R_C=400\text{ k}\Omega$…
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• 103年 taipower_recruit 第20題
  如【圖9】所示之電路,$V_{cc}=10\text{ V}$ ,$R_1=R_2=100\text{ k}\Omega$ ,$R_C=1\text{ k}\Omega$ ,電晶體為矽質,$\beta=50$…
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• 103年 taipower_recruit 第22題
  如【圖11】所示,若三個電晶體之特性完全相同,其低頻小訊號混合$\pi$參數的$r_b=0$ ,$r_o=\infty$ ,$\beta=100$ ,$r_\pi$忽略不計,則輸入阻抗為多少?
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• 103年 taipower_recruit 第28題
  如【圖14】所示,若電晶體$\beta=60$ ,$V_{BE}=0.7\text{V}$ ,$V_T=26\text{mV}$ ,$n=1$ ,則電晶體的$r_e$為多少?
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• 103年 taipower_recruit 第29題
  承第28題,請問電壓增益$V_o/V_i$為?
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• 103年 taipower_recruit 第30題
  承第29題,請問電流增益$i_o/i_i$約為?
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• 103年 taipower_recruit 第32題
  共基極放大器,在室溫26℃下工作,電壓增益為13,若直流工作點$I_{EQ}=0.5\text{ mA}$ ,則小信號$r_e$電阻為多少歐姆($\Omega$)?
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• 103年 taipower_recruit 第44題
  承第43題,電壓增益$A_v$ =?
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• 102年 taipower_recruit 第10題
  如【圖 4】所示，假設 $Q_1$、$Q_2$ 電晶體之參數完全相同，且電晶體之基極電流可忽略不計，求電路之小訊號電壓增益 $A_v=V_o/V_i$ 約為何？
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• 102年 taipower_recruit 第11題
  承第 10 題，試求 $V_{CE2}$ 為何？
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• 102年 taipower_recruit 第15題
  如【圖 5】所示，一個兩級串接耦合放大器，$V_{cc}=20.7\text{ V}$、$R_{B1}=100\text{ k}\Omega$、$R_{C2}=0.5\text{ k}\Omega$、…
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• 102年 taipower_recruit 第16題
  承第 15 題，試求 $I_{B2}$ 為何？
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• 102年 taipower_recruit 第19題
  如【圖 6】所示，已知雙極性接面電晶體 $\beta=94$，$R_1=R_2=10\text{ k}\Omega$，$R_C=2.5\text{ k}\Omega$，$R_E=1\text{ k}\Omega$…
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• 102年 taipower_recruit 第24題
  如【圖 7】所示，若 $V_{CC}=12\text{ V}$、$R_C=1\text{ k}\Omega$、$\beta=58$，電晶體基射級順向導通電壓為 $0.7\text{ V}$，集射極飽和…
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• 102年 taipower_recruit 第25題
  如【圖 8】所示，已知雙極性接面電晶體 $\beta=100$，$V_{BE}=0.7\text{ V}$，集極電流 $I_C=2\text{ mA}$，集極與射極間電壓 $V_{CE}=5\text{ V}$…
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• 102年 taipower_recruit 第26題
  如【圖 9】所示，當尖波瞬間加入(SW ON)，然後立刻移走(SW OFF)，下列敘述何者有誤？
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• 102年 taipower_recruit 第44題
  如【圖 13】所示，為共源極放大器，若場效電晶體參數 $r_d=30\text{ k}\Omega$、$g_m=2\text{ mA/V}$，則此電路的中頻電壓增益 $V_o/V_i$ 為何？
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• 102年 taipower_recruit 第50題
  如【圖 16】所示，若 $g_m=2\text{ mA/V}$，$R_S=1\text{ k}\Omega$，其輸出阻抗 $Z_o$ 為何？
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• 101年 taipower_recruit 第12題
  如【圖 4】所示，電晶體 $\beta=50$，$V_{BE}=0.7\text{ V}$，$V_{CE(sat)}=0.2\text{ V}$，則下列 $V_B$ 值何者可確保電晶體工作於飽和區？
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• 101年 taipower_recruit 第16題
  如【圖 8】所示為鏡像電流源，$Q_1$、$Q_2$ 是相同電晶體，則 I = ？
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• 101年 taipower_recruit 第27題
  續上題（第 26 題），流過 $R_L$ 的電流大小約為多少？
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• 101年 taipower_recruit 第34題
  如【圖 16】電路所示，其矽質電晶體之射極偏壓 $V_E$ 約為何值？
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• 101年 taipower_recruit 第41題
  如【圖 17】電路所示，若 $h_{fe}=50$，$h_{ie}=1\text{ k}\Omega$，$h_{re}$ 及 $h_{oe}$ 略去不計，則電壓增益約為多少？
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• 101年 taipower_recruit 第49題
  如【圖 20】為 N 通道 MOSFET 電晶體，假設其 $I_D=0.6\text{ mA}$，$V_{th}=1\text{ V}$，電容值視為無窮大，其小訊號電壓增益 $V_o / V_i$…
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