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電子學 — 主題練習
📚 電子學
金氧半場效電晶體(MOSFET)工作原理與特性
93
道考古題
15
個年度
115年 (7)
114年 (3)
113年 (6)
112年 (4)
111年 (7)
110年 (5)
109年 (5)
108年 (7)
107年 (17)
106年 (4)
105年 (7)
104年 (5)
📝 歷屆考古題
115年 taipower_recruit
第11題
某場效電晶體的\(K = 2 mA/V^2\)，若直流工作點的汲極電流為8 mA，試問互導\(g_m\)為何？
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115年 taipower_recruit
第12題
有關場效電晶體之優點，下列何者有誤？
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115年 taipower_recruit
第16題
有關MOSFET特性之敘述，下列何者有誤？
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115年 taipower_recruit
第32題
一N通道增強型MOSFET之臨界電壓\(V_T = 2 V\)，當工作於飽和區且閘－源極間電壓\(V_{GS} = 4 V\)時，汲極電流為4 mA；若\(V_{GS} = 5 V\)，則汲極電流為何…
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115年 taipower_recruit
第39題
一N通道空乏型MOSFET工作時，其閘極電壓為何？
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115年 taipower_recruit
第44題
如右圖所示之MOSFET電路，其臨界電壓\(V_T = 1.8 V\)，參數\(K = 1.2 mA/V^2\)，已選擇適當之\(R_D\) 使電路操作於飽和區且\(I_D = 1.08 mA\)，則…
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115年 taipower_recruit
第47題
有關電晶體(BJT)和場效電晶體(FET)的比較，下列敘述何者有誤？
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114年 taipower_recruit
第7題
下列有關MOSFET之敘述，何者有誤？
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114年 taipower_recruit
第20題
下列何者為JFET工作原理最主要之控制目標？
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114年 taipower_recruit
第32題
如右圖所示為MOSFET放大電路，若 $I_D=0.15\text{ mA/V}^2 \times (V_{GS}-1)^2$，試求直流電壓 $V_{DS}$ 值為多少V？
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113年 taipower_recruit
第10題
10. 有一電路如右圖所示，已知 $I_D = 1.2 \text{ mA}$，$V_G = 0 \text{ V}$，$V_T = -0.6 \text{ V}$，$|V_{GS} - V_T| = 0.4 \text{ V}$…
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113年 taipower_recruit
第35題
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？
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113年 taipower_recruit
第37題
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？
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113年 taipower_recruit
第43題
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 $I_{DSS} = 4 \text{ mA}$，其中 $V_{GS(OFF)} = -4 \text{ V}$，當 JFET 運作於 $V_{GS} = -2 \text{ V}$…
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113年 taipower_recruit
第44題
44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 $K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，若直流工作點之汲極電流為 $I_D = 8 \text{ mA}$…
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113年 taipower_recruit
第46題
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 $K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = -2 \text{ V}$，試求 $V_{GS} = -4 \text{ V}$…
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112年 taipower_recruit
第9題
如右圖所示，直流工作點設置於 $V_{GS} = -1.75\text{ V}$，$V_{DS} = 6\text{ V}$，$I_D = 2.5\text{ mA}$，則 $R_S$ 值為何？
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112年 taipower_recruit
第10題
N通道增強型場效應電晶體(簡稱 MOSFET)的臨界電壓 $V_T = 3\text{ V}$，若電路中的 $V_{GS} = 4\text{ V}$ 時，$I_D = 2\text{ mA}$，且…
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112年 taipower_recruit
第23題
有關 FET 與 BJT 特性比較，下列敘述何者正確？
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112年 taipower_recruit
第45題
如右圖所示，$V_{DD} = 5\text{ V}$，$R_D = 2\text{ k}\Omega$，$R_G = 5\text{ M}\Omega$，$V_{GS(t)} = 1\text{ V}$…
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111年 taipower_recruit
第7題
操作於飽和區之JFET放大電路，其I_{DSS}= 6 mA，夾止電壓(pinch - off voltage) V_P = -3 V，若電路工作點之V_{GS}= -1.5 V，試求其電路之互導 g…
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111年 taipower_recruit
第18題
有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓V_T= -2.5，若汲極電壓V_D= 4 V，源極電壓V_S= 8 V，直流閘極電壓V_G= 3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？
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111年 taipower_recruit
第19題
在一N通道增強型MOSFET共源極放大電路中，其中MOSFET之V_T= 2 V，K= 2 mA/V^2，若要使MOSFET工作於飽和區，以獲得I_D= 18 mA時，試求其V_{GS}電壓為何？
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111年 taipower_recruit
第20題
如右圖所示電路，其中Q_1與Q_2的臨界電壓分別為 1 V和 -1 V時，Q_1、Q_2工作狀態為何？
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111年 taipower_recruit
第23題
如右圖所示，當V_{DS}= 5 V，試求其V_{GS}值為何？
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111年 taipower_recruit
第30題
某N通道JFET之夾止電壓(pinch-off voltage) V_P= -5 V、I_{DSS}= 25 mA，當其閘極電壓V_G= -6 V、源極電壓V_S= 0 V、汲極電壓V_D= 5 V時…
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111年 taipower_recruit
第50題
如右圖所示，假設 4K_1 = K_2，臨界電壓 V_{t1} = V_{t2}= 2 V，試求其 V_o值為何？
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110年 taipower_recruit
第13題
有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(VGS為閘極至源極之電壓)
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110年 taipower_recruit
第14題
有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？(ID為汲極電流，IG為閘極電流)
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110年 taipower_recruit
第15題
如右圖所示，當VGS = -5 V 時，IDSS = 25 mA 及VGS(off) = -10 V，求偏壓時之RS值為何？
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110年 taipower_recruit
第16題
接面場效應電晶體(JFET)之汲極與源極間，通道的有效寬度會隨著VGS逆向偏壓增加而減小，而當VGS逆向偏壓夠大，致使通道寬度降為零，此時的VGS值稱為何種電壓？
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110年 taipower_recruit
第25題
若NMOS場效電晶體之汲極與源極電壓VDS>閘極與源極電壓VGS>臨界電壓Vth，則下列敘述何者正確？
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109年 taipower_recruit
第5題
某 P 通道增強型 MOSFET，導電參數 \(K = 0.5 mA/V^2\)，臨界電壓 \(V_T = -2 V\)，試求 \(V_{GS} = -5 V\) 時，\(I_D\) 值為何？
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109年 taipower_recruit
第9題
有關 JFET 特性之敘述，下列何者有誤？
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109年 taipower_recruit
第18題
如右圖所示，若 \(V_{GS} = -2.5 V\)，\(R_S = 2.5 k\Omega\)，則 \(V_{DS}\) 為何？
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109年 taipower_recruit
第33題
NMOS 較 PMOS 之應用更為廣泛，其原因為何？
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109年 taipower_recruit
第36題
增強型 NMOS 的 \(V_{DS} = 4 V\)，元件參數 \(K_n = 0.5 mA/V^2\)，臨界電壓 \(V_t = 2 V\)，\(I_D = 2 mA\)，若忽略通道長度調變效應，…
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108年 taipower_recruit
第18題
某N通道接面型場效電晶體(JFET)之夾止電壓(Pinch-Off Voltage) $V_P$= -4V且源極電壓$V_S$=0V，則下列何者情況下，電晶體可工作於飽和區?
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108年 taipower_recruit
第29題
有一N通道接面型場效電晶體(JFET)，若$V_{GS}$=-2V，且$V_{GS(off)}$= -4V，則當$V_{DS}$=1V與$V_{DS}$=5V時，此場效電晶體分別工作於何種區域?
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108年 taipower_recruit
第35題
有關場效電晶體FET之敘述，下列何者正確?
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108年 taipower_recruit
第36題
下列敘述何者有誤?
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108年 taipower_recruit
第37題
如【圖6】所示，$V_D$=15 V，$V_{GS}$=-3 V，則$R_S$為何?
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108年 taipower_recruit
第38題
如【圖7】所示，若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2V，閘源極間電壓$V_{GS}$=4V時，其汲極電流$I_{D(on)}$=20mA，則此電路之汲源極間電壓$V_{DS}$…
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108年 taipower_recruit
第44題
某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)$V_t$=2V，參數K=0.3 (mA/V²)，若MOSFET工作於夾止區(飽和區)，且閘源極間電壓$V_{GS}$…
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107年 taipower_recruit
第4題
下列敘述何者正確？
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107年 taipower_recruit
第11題
如右圖所示,兩個MOSFET之寬長$W/L$比為$(W/L)_1 = 4(W/L)_2$,設MOSFET導通的臨界電壓$V_{t1} = V_{t2} = 2\text{ V}$,則$V_o$值為何?
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107年 taipower_recruit
第12題
某場效電晶體的導電參數$K=2\text{mA/V}^2$,若直流工作點的汲極電流為$8\text{mA}$,試求互導$g_m$為何? (A)$2\text{mS}$ (B)$4\text{mS}$…
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107年 taipower_recruit
第14題
有關場效電晶體(FET)之敘述,下列何者有誤? (A)可分成N通道與P通道兩種 (B)輸入阻抗較雙極性電晶體(BJT)為低 (C) MOSFET又分成空乏型與增強型兩種 (D)主要可分成JFET及MO…
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107年 taipower_recruit
第17題
N通道空乏型MOSFET的$I_{DSS} = 8\text{ mA}$,$V_{GS(OFF)} = -4\text{V}$,而在$V_{GS}=0\text{V}$的情況下,$I_D$值為何? (…
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107年 taipower_recruit
第19題
某N通道JFET,$V_P= -4\text{ V}$,當$V_{GS} = -1\text{V}$時,欲使該JFET工作於飽和區,所需的$V_{DS}$值範圍為何? (A)$V_{DS} \ge 3\text{ V}$…
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107年 taipower_recruit
第30題
關於FET與BJT電晶體的比較,下列何者有誤? (A) FET的輸入阻抗較BJT高 (B) FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中 (C) FET的熱穩定性較BJT好 (D) FET的增益與頻寬的…
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107年 taipower_recruit
第31題
某N通道JFET之夾止電壓(pinch-off voltage)$V_P= -4\text{ V}$、$I_{DSS} = 16\text{ mA}$,當其閘極電壓$V_G=-6\text{V}$、源…
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107年 taipower_recruit
第36題
有一JFET之汲極偏壓電流$I_{DSS} = 3\,\mathrm{mA}$，其中$V_{GS(OFF)} = -3\,\mathrm{V}$，當此JFET工作於$V_{GS} = -1\,\mathrm{V}$…
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107年 taipower_recruit
第40題
如右圖所示,已知該電晶體截止電壓$V_{GS(off)} = -5\text{ V}$,直流閘源極電壓$V_{GS} = -4\text{ V}$時,$I_D=0.35\text{ mA}$,則$R_1/R_2$…
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107年 taipower_recruit
第41題
下列敘述何者有誤？
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107年 taipower_recruit
第42題
某MOSFET輸出特性曲線如右圖所示，下列敘述何者正確？
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107年 taipower_recruit
第43題
對CMOS四個英文字的意義，下列何者有誤？
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107年 taipower_recruit
第45題
場效電晶體(FET)是利用下列何者效應控制流通電流的大小？
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107年 taipower_recruit
第48題
如右圖所示,此曲線為下列何種場效電晶體的$I_D-V_{GS}$特性曲線?($V_T$為臨界電壓) (A)N通道JFET (B)N通道空乏型MOSFET (C)P通道增強型MOSFET (D)N通道增…
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107年 taipower_recruit
第49題
某一N通道JFET的汲極飽和電流 $I_{DSS} = 16\text{ mA}$,汲極電流 $I_D =4\text{ mA}$,若截止電壓 $V_{GS(off)}$為$-3\text{V}$,則…
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107年 taipower_recruit
第50題
如右圖所示,若$I_D=2\text{mA}$,$R_D=5\text{ k}\Omega$,$R_S = 1\text{ k}\Omega$,$R_G = 1\text{ M}\Omega$,則$V_D$…
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106年 taipower_recruit
第9題
9. 有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 $V_T = 2 V$，當 $V_{GS} = 5 V$ 時，MOSFET 工作於飽和區 (夾止區)，且 $I_D = 3 mA$。若 $V_{GS} = 8 V$…
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106年 taipower_recruit
第21題
21. 有一個 N 通道 JFET，若 $I_{DSS} = 12 mA$，$V_{GS(OFF)} = V_P = -4 V$，則 $V_{GS} = -2 V$ 時的 $I_D$ 電流值為何？
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106年 taipower_recruit
第22題
22. 有一個 P 通道增強型 MOSFET，其臨界電壓 $V_T = -2 V$，假設其閘極 (gate) 接地而源極 (source) 接至 +5 V，欲使此元件操作在飽和區 (saturatio…
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106年 taipower_recruit
第45題
45. 下列敘述，何者有誤？
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105年 taipower_recruit
第12題
有關 BJT 與 FET 之比較，下列何者正確？
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105年 taipower_recruit
第13題
某一增強型 MOSFET 之 $V_{DS} = 4 \text{ V}$，導電參數 $K = 0.8 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = 2 \text{ V}$，$V_{GS} = 5 \text{ V}$…
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105年 taipower_recruit
第14題
某一 JFET 的 $I_{DSS} = 12 \text{ mA}$，$V_P = -2 \text{ V}$，則當汲極電流 $I_D = 3 \text{ mA}$ 時，其 $V_{GS}$ 為多…
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105年 taipower_recruit
第15題
某一 JFET 操作在夾止 (pinch-off) 區，如其 $I_{DSS} = 10 \text{ mA}$，夾止電壓 $V_P = -5 \text{ V}$，$V_{GS} = -3 \text{ V}$…
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105年 taipower_recruit
第42題
有關 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
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105年 taipower_recruit
第43題
有一增強型 MOSFET 之臨界電壓 $V_T = 2 \text{ V}$，$K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，$g_m = 1 \text{ mA/V}$，則 $V_{GS}$ 為多…
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105年 taipower_recruit
第44題
如右圖所示之電路，若 $I_D = 0.1(V_{GS} - 1.0)^2 \text{ mA}$，求 $V_{DS}$ 為多少？
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104年 taipower_recruit
第26題
如右圖所示，$V_{DS} = 8\text{ V}$，則 $V_{GS}$ 為多少？
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104年 taipower_recruit
第27題
N通道加強型MOSFET的閘-源電壓 $V_{GS}$ 應如何才能使汲極電流 $I_D$ 導通？ ($V_T$ 為臨界電壓)
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104年 taipower_recruit
第28題
有關於MOSFET的敘述，下列何者有誤？
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104年 taipower_recruit
第29題
如右圖所示之MOSFET放大電路，若 $I_D = 0.2(V_{GS} - 1.0)^2\text{ mA}$，求直流電壓 $V_{DS}$ 值為多少？
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104年 taipower_recruit
第47題
P通道場效電晶體(FET)之電荷載子為何？
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103年 taipower_recruit
第33題
如【圖15】所示,$Q_1$是?
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103年 taipower_recruit
第35題
某一 JFET 之$I_{DSS}=10\text{ mA}$ ,$V_{gs(OFF)}=-5\text{V}$ ,試計算在偏壓點$V_{gs}=-2\text{V}$的$g_m$值為何?
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103年 taipower_recruit
第36題
FET 電晶體與 BJT 電晶體兩者比較,下列何者有誤?
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103年 taipower_recruit
第37題
某一 N 通道 JFET 的汲極飽和電流$I_{DSS}=27\text{ mA}$ ,汲極電流$I_D=3\text{ mA}$。若截止電壓(cut-off voltage)$V_{gs(off)}=-3\text{ V}$…
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103年 taipower_recruit
第38題
有關 MOSFET 之敘述,下列何者有誤?
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103年 taipower_recruit
第39題
如【圖16】所示,$V_{DS}=10\text{V}$ ,則$V_{GS}$= ?
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103年 taipower_recruit
第41題
如【圖17】所示,增強型 MOSFET 之$I_{DSS}=12\text{ mA}$ ,$g_m=3\text{ mS}$ ,則$V_{DS}$ =?
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103年 taipower_recruit
第43題
如【圖18】所示,N通道 JFET 電路,已知 JFET 之$I_{DSS}=16\text{ mA}$ ,$V_P=-4\text{ V}$ ,若欲使該 JFET 工作於飽和區,且汲極電流$I_D=1\text{mA}$…
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102年 taipower_recruit
第28題
若有一 N 通道 JFET，若 $V_{GS}=-1\text{ V}$，而 $V_{GS(OFF)}=-4\text{ V}$，則當 $V_{DS}=2\text{ V}$ 及 $V_{DS}=5\text{ V}$…
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102年 taipower_recruit
第29題
下列哪一種元件的工作速度最快？
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102年 taipower_recruit
第32題
場效電晶體(FET)之工作原理是控制：
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102年 taipower_recruit
第45題
如【圖 14】所示，試求 $I_D=2\text{ mA}$，$V_{DS}=6\text{ V}$，則電阻 $R_S$ 為何？
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101年 taipower_recruit
第8題
如【圖 3】當 $V_{GS}=-5\text{ V}$ 時，$I_{DSS}=20\text{ mA}$ 及 $V_{GS(off)}=-10\text{ V}$，求此偏壓時之 $R_s$ 值為：
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101年 taipower_recruit
第28題
場效電晶體(FET)與電晶體(BJT)比較，場效電晶體(FET)之優點為何？
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101年 taipower_recruit
第36題
N 通道增強型 MOSFET 的符號為：
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101年 taipower_recruit
第37題
某一 N 通道增強型 MOSFET 的 $V_{DS}=4\text{ V}$，元件參數 $K=0.5\text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T=2\text{ V}$，若元件工作於夾止區且…
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